[发明专利]一种基于自旋忆阻器的组合逻辑电路及实现方法

说明书

本发明涉及逻辑电路技术，具体涉及一种基于自旋忆阻器的组合逻辑电路及实现方法，该电路包括第一自旋忆阻器Msubgt;1/subgt;、第二自旋忆阻器Msubgt;2/subgt;、第三自旋忆阻器Msubgt;3/subgt;、第四自旋忆阻器Msubgt;4/subgt;、第一PMOS管Tsubgt;1/subgt;、第一NMOS管Tsubgt;2/subgt;、第二PMOS管Tsubgt;3/subgt;、第二NMOS管Tsubgt;4/subgt;、第一负载自旋忆阻器Msubgt;s1/subgt;、第二负载自旋忆阻器Msubgt;s2/subgt;、第三负载自旋忆阻器Msubgt;s3/subgt;、第四负载自旋忆阻器Msubgt;s4/subgt;、恒定电压Vsubgt;c/subgt;、电源电压VDD、第一脉冲信号源a和第二脉冲信号源b。该逻辑电路通过将自旋忆阻器和CMOS结合，在与或门逻辑电路的基础上结合CMOS反相器，在同一电路中同时实现AND,OR,XOR,XNOR四种基本逻辑操作。

技术领域

本发明属于逻辑电路技术领域，特别涉及一种基于自旋忆阻器的组合逻辑电路及实现方法。

背景技术

逻辑电路是一种离散信号的传递和处理，以二进制为原理、实现数字信号逻辑运算和操作的电路，被广泛应用于计算机、通信、自动化等方面。目前，CMOS逻辑运算电路已趋于成熟，但由于物理限制CMOS尺寸进一步缩小变得更加困难，摩尔定律即将完全失效。忆阻器的提出为解决这一问题提供了方向，由于忆阻器的纳米尺寸特点，基于忆阻器的数字逻辑电路与使用CMOS的传统的数字逻辑电路相比具有较少的面积和功耗。而自旋忆阻器具有纳秒级读写速度，在逻辑运算中具有独特的优势，被认为有利于构建基于自旋忆阻器的大规模存储器以及进行高速的逻辑运算，因此研究基于自旋忆阻器的逻辑电路是有必要的。

发明内容

针对背景技术存在的问题，本发明提供一种基于自旋忆阻器的组合逻辑电路。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：一种基于自旋忆阻器的组合逻辑电路，包括第一自旋忆阻器M₁、第二自旋忆阻器M₂、第三自旋忆阻器M₃、第四自旋忆阻器M₄、第一PMOS管T₁、第一NMOS管T₂、第二PMOS管T₃、第二NMOS管T₄、第一负载自旋忆阻器M_s1、第二负载自旋忆阻器M_s2、第三负载自旋忆阻器M_s3、第四负载自旋忆阻器M_s4、恒定电压V_c、电源电压VDD、第一脉冲信号源a和第二脉冲信号源b；