[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

ESD保护电路，具有设置在信号端子和接地线之间的第一N沟道MOS晶体管；及

控制电路，与所述信号端子电连接，

其中，

当高电平的信号被供给至所述信号端子时，所述控制电路将通过对所述信号的高电平电压进行降压而获得的第一电压输出到所述第一N沟道MOS晶体管的栅极，当由ESD引起的浪涌被输入至所述信号端子时，所述控制电路将低于所述第一电压的第二电压输出到所述第一N沟道MOS晶体管的所述栅极。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述控制电路具有：

RC电路，与所述信号端子连接；

缓冲器电路，该缓冲器电路的输入与所述RC电路连接，该缓冲器电路的输出端子与所述第一N沟道MOS晶体管的所述栅极电连接；及

降压电路，对由所述信号端子接收的电压进行降压，并将降压后的电压供给至所述缓冲器电路的电源端子。

3.一种半导体装置，具有：

ESD保护电路，具有设置在信号端子和接地线之间的第一N沟道MOS晶体管；及

控制电路，与所述信号端子电连接，

其中，

所述控制电路具有：

RC电路，与所述信号端子连接；

缓冲器电路，该缓冲器电路的输入与所述RC电路连接，该缓冲器电路的输出端子与所述第一N沟道MOS晶体管的所述栅极电连接；及

降压电路，对由所述信号端子接收的电压进行降压，并将降压后的电压供给至所述缓冲器电路的电源端子。

4.如权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

当由所述输入接收到高电平时，所述缓冲器电路从所述输出端子输出低电平，当由所述输入接收到低电平时，所述缓冲器电路从所述输出端子输出高电平，

所述ESD保护电路具有逆变器，该逆变器设置在所述缓冲器电路的所述输出端子和所述第一N沟道MOS晶体管的所述栅极之间。

5.如权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

所述降压电路具有在所述信号端子和接地线之间串联连接的二极管和电阻元件，

所述二极管和所述电阻元件的连接节点与所述缓冲器电路的所述电源端子连接。

6.如权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

所述控制电路共同设置于多个所述ESD保护电路，

所述缓冲器电路的输出与多个所述ESD保护电路的所述第一N沟道MOS晶体管的所述栅极电连接。

7.如权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

经由所述信号端子输入或输出的信号的高电平电压值大于所述控制电路中设置的晶体管的耐压值。

8.如权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

所述信号端子与所述第一N沟道MOS晶体管的漏极连接，

所述ESD保护电路还具有第二N沟道MOS晶体管，该第二N沟道MOS晶体管的漏极与所述第一N沟道MOS晶体管的源极连接，该第二N沟道MOS晶体管的源极和栅极与所述接地线连接。