[发明专利]一种低频宽带降噪的阻抗复合式消声器

权利要求书

1.一种低频宽带降噪的阻抗复合式消声器，其特征在于，所述消声器包括：包覆在硬质空腔外相互连接的抗性消声器和阻式消声器，其中，

所述抗性消声器，由两个以上的二阶亥姆霍兹共振器组成，用于反射低于1000Hz频段噪声的声能；

所述阻式消声器，由多孔吸声材料组成，用于吸收高于1000Hz频段噪声的声能。

2.根据权利要求1所述的低频宽带降噪的阻抗复合式消声器，其特征在于，所述抗性消声器包括10个截面的串联，每个截面放置2个L型二阶亥姆霍兹共振器，每个L型二阶亥姆霍兹共振器的宽度均为w＝52mm。

3.根据权利要求2所述的低频宽带降噪的阻抗复合式消声器，其特征在于，每个L型二阶亥姆霍兹共振器在水平方向的开口均与硬质空腔连通，上下两个L型二阶亥姆霍兹共振器的共振频率间隔大于50Hz。

4.根据权利要求3所述的低频宽带降噪的阻抗复合式消声器，其特征在于，所述10个截面由距离阻式消声器最远端起，同侧的上L型二阶亥姆霍兹共振器的共振频率从低至高依次排列，同侧的下L型二阶亥姆霍兹共振器的共振频率从低至高依次排列。

5.根据权利要求4所述的低频宽带降噪的阻抗复合式消声器，其特征在于，每个L型二阶亥姆霍兹共振器参数一阶腔高度一阶腔长度l_c≤190mm；一阶颈部长度和二阶颈部长度均≤10mm；一阶颈部半径和二阶颈部半径均≤24mm。

6.根据权利要求5所述的低频宽带降噪的阻抗复合式消声器，其特征在于，对于L型二阶亥姆霍兹共振器，通过增大颈部半径和/或减小颈部长度，使对应的共振频率向高频移动。

7.根据权利要求5所述的低频宽带降噪的阻抗复合式消声器，其特征在于，对于L型二阶亥姆霍兹共振器，通过缩小共振腔的体积，使对应的共振频率向高频移动。

8.根据权利要求1所述的低频宽带降噪的阻抗复合式消声器，其特征在于，

所述多孔吸声材料的流阻率σ为15374Pa·s/m²，孔隙率φ为0.9942，曲折因子α_∞为1.04，黏性特征长度Λ为9.2×10^-5μm，热特征长度Λ,为1.97×10^-4μm。