[发明专利]驱动电路和电源管理系统在审

专利信息
申请号: 202310145132.2 申请日: 2023-02-17
公开(公告)号: CN116232018A 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 雷云;张智锋;林建平 申请(专利权)人: 深圳市华思旭科技有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M3/158;H02M1/32
代理公司: 北京知帆远景知识产权代理有限公司 11890 代理人: 于腾昊
地址: 518109 广东省深圳市龙华区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 驱动 电路 电源 管理 系统
【说明书】:

本申请公开了一种驱动电路和控制电源管理系统。驱动电路包括开关驱动模块和倍压电路。开关驱动模块连接脉冲宽度调制端、基准电压端和节点,用于根据脉冲宽度调制端的脉冲宽度调制信号和基准电压端的电压调节节点的电压。倍压电路连接开关晶体管的源极、开关晶体管的栅极和节点,用于根据电源的输出电压和节点的电压驱动开关晶体管导通。如此,本申请的驱动电路与目前的驱动电路相比简化了电路的结构、降低了成本,且易大批量生产。并且通过设置开关驱动模块来调节节点的电压,可以提高电源正端允许电压范围,从而避免了电压大于预设阈值容易造成开关晶体管开启不完全,从而容易损坏开关晶体管的问题。

技术领域

本申请涉及驱动电路控制技术领域,特别是一种驱动电路和电源管理系统。

背景技术

相关技术中,通过NMOS用于控制电源正端的技术方案主要有两种,一种是采用DC-DC隔离电源对NMOS进行驱动GS控制电源正端,另外一种是采用DC-DC升压电路对NMOS进行驱动GS以控制电源正端。然而,采用DC-DC隔离电源对NMOS进行驱动GS控制电源正端的技术方案中,电路复杂、成本高,不利于大批量生产,而采用DC-DC升压电路对NMOS进行驱动GS以控制电源正端的方案对电源正端的电压范围要求,电压大于预设阈值容易造成NMOS控制电压GS过高,从而容易损坏NMOS。

发明内容

本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本申请需要提供一种驱动电路和电源管理系统。

本申请实施方式的驱动电路,用于电源管理系统,所述电源管理系统包括电源与开关晶体管,所述开关晶体管设置于所述电源的正极供电路径,所述驱动电路用于控制所述开关晶体管开启和关断,所述驱动电路包括:

开关驱动模块,所述开关驱动模块连接脉冲宽度调制端、基准电压端和节点,用于根据所述脉冲宽度调制端的脉冲宽度调制信号和所述基准电压端的电压调节所述节点的电压;

倍压电路,所述倍压电路连接所述开关晶体管的源极、所述开关晶体管的栅极和所述节点,用于根据所述电源的输出电压和所述节点的电压驱动所述开关晶体管导通。

在某些实施方式中,所述开关晶体管包括放电开关晶体管和充电开关晶体管,所述驱动电路包括两个,其中一个所述驱动电路连接所述放电开关晶体管,用于控制所述放电开关晶体管的开启与关闭,另一个所述驱动电路连接所述充电开关晶体管,用于控制所述充电开关晶体管的开启与关闭。

在某些实施方式中,所述开关晶体管包括NMOS管。

在某些实施方式中,所述倍压电路用于根据所述源极的电压和所述节点的第一驱动电压,生成第二驱动电压,驱动所述开关晶体管导通,其中,第二驱动电压与所述源极的电压呈正相关,第二驱动电压大于第一驱动电压,小于或等于第一驱动电压和源极的电压之和。

在某些实施方式中,所述开关驱动模块包括:

第一开关管,所述第一开关管的第一连接端连接所述基准电压端,第二连接端连接接地端,控制端连接所述脉冲宽度调制端;

第二开关管,所述第二开关管的第一连接端连接所述基准电压端,第二连接端连接所述节点,控制端连接所述第一开关管的第一连接端;

第三开关管,所述第三开关管的第一连接端连接所述节点,第二连接端连接接地端,控制端连接所述第一开关管的第一连接端。

在某些实施方式中,所述开关驱动模块还包括:

钳位二极管,所述钳位二极管的正极连接所述节点,负极连接所述第二开关管的第一连接端。

在某些实施方式中,所述开关驱动模块还包括:

第一电阻,所述第一电阻的一端连接所述脉冲宽度调制端,另一端连接所述第一开关管的控制端;

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