[发明专利]铜铟镓硒靶材及其制备方法和太阳能电池

权利要求书

1.一种铜铟镓硒靶材的制备方法，其特征在于，包括：

采用气雾化法制备CuInGa三元合金粉，将所述CuInGa三元合金粉与Se粉混合，然后依次进行低温烧结和高温烧结得到铜铟镓硒粉末，将所述铜铟镓硒粉末采用热等静压法制备得到铜铟镓硒靶材；

采用气雾化法制备CuInGa三元合金粉的过程包括：

将金属Cu、In和Ga原材料在真空中频感应炉中3-6次、每次熔炼时间控制在30-60 s，短时间内快速预熔炼，得到CuInGa预溶合金块；

将所述CuInGa预溶合金块表面进行打磨去除氧化物和杂质，然后采用气雾化法制备粉末，筛分的得到粗粉和细粉，所述粗粉返回原料；

所述金属Cu、In和Ga原材料中，Cu、In和Ga的原子比为1：（0.7-0.8）：（0.2-0.3）；

所述气雾化法包括真空气雾化制粉法或电极感应熔炼气雾化法；

所述气雾化法的雾化介质为高纯氩气和/或高纯氮气，所述雾化介质的压力为2-10MPa，温度为20-40℃，熔炼温度为1100-1300℃；

所述CuInGa三元合金粉与所述Se粉的质量比为1：（1.5-6）；

所述低温烧结和所述高温烧结均在真空烧结炉内进行；

进行烧结前，对所述真空烧结炉进行多次反复抽真空和填充高纯保护气体；

所述低温烧结的温度为160-280℃，时间为0.5-1h；

所述高温烧结的温度为500-800℃，时间为4-8h；

所述热等静压法的温度为900-1200℃，保温时间为1-2h，压力为80-130MPa。

2.一种铜铟镓硒靶材，其特征在于，使用权利要求1所述的铜铟镓硒靶材的制备方法制得；

所述铜铟镓硒靶材的化学式为CuIn_xGa_(1-x)Se₂，其中，x=0.7-0.8。

3.一种太阳能电池，其特征在于，其原料包括权利要求2所述的铜铟镓硒靶材。