[发明专利]深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED

权利要求书

1.一种深紫外LED外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；

所述P型接触层包括依次层叠于所述P型AlGaN层上的Mg掺杂B_aAl_bGa_1-a-bN层、B_xAl_yGa_1-x-yN纳米团簇层/Mg掺杂B_xAl_yGa_1-x-yN层超晶格层；

所述层叠于所述P型AlGaN层上的Mg掺杂B_aAl_bGa_1-a-bN层的Mg掺杂浓度为1×10¹⁹atoms/cm³-1×10²⁰atoms/cm³；

所述B_xAl_yGa_1-x-yN纳米团簇层采用下述方法完成沉积：向反应室中通入氮源、硼源、铝源和镓源，以氢气、氮气和氨气为生长气氛，完成所述B_xAl_yGa_1-x-yN纳米团簇层的沉积；

其中，0＜a＜0.45，0＜b＜0.45，0＜x＜0.45，0＜y＜0.45。

2.如权利要求1所述的深紫外LED外延片，其特征在于，所述Mg掺杂B_aAl_bGa_1-a-bN层中，B组分由靠近所述P型AlGaN层向远离所述P型AlGaN层方向逐渐升高；

Al组分由靠近所述P型AlGaN层向远离所述P型AlGaN层方向逐渐降低。

3.如权利要求1所述的深紫外LED外延片，其特征在于，所述B_xAl_yGa_1-x-yN纳米团簇层/Mg掺杂B_xAl_yGa_1-x-yN层超晶格层由B_xAl_yGa_1-x-yN纳米团簇层和Mg掺杂B_xAl_yGa_1-x-yN层依次交替层叠组成，重复周期≥1。

4.如权利要求1-3任一项所述的深紫外LED外延片，其特征在于，所述Mg掺杂B_aAl_bGa_1-a-bN层的厚度为1nm-10 nm；

所述B_xAl_yGa_1-x-yN纳米团簇层/Mg掺杂B_xAl_yGa_1-x-yN层超晶格层的厚度为1nm-10 nm；

所述B_xAl_yGa_1-x-yN纳米团簇层与所述Mg掺杂B_xAl_yGa_1-x-yN层的厚度比为1：（1-5）。

5.如权利要求1-3任一项所述的深紫外LED外延片，其特征在于，所述Mg掺杂B_xAl_yGa_1-x-yN层的Mg掺杂浓度为1×10²⁰atoms/cm³-1×10²¹atoms/cm³。