[发明专利]一种低开销抗辐射存储单元版图结构

权利要求书

1.一种低开销抗辐射存储单元版图结构，其特征在于，由两块半边基本单元版图模块拼接组成；

每个半边基本单元版图模块包括：第一上拉管版图结构、第二上拉管版图结构、第一传输管和下拉管版图结构、第二传输管和下拉管版图结构、第一P阱、N阱、第二P阱；所述第一P阱位于第一传输管和下拉管版图结构的一侧；第一传输管和下拉管版图结构的另一侧与第一上拉管版图结构紧贴；所述N阱位于第一上拉管版图结构和第二上拉管版图结构中间；所述第二P阱位于第二传输管和下拉管版图结构的一侧；第二传输管和下拉管版图结构的另一侧与第二上拉管版图结构紧贴；

两块半边基本单元版图模块的两个第一上拉管版图结构连接，两块半边基本单元版图模块的两个第一传输管和下拉管版图结构连接；两块半边基本单元版图模块的两个第二上拉管版图结构连接；两块半边基本单元版图模块的两个第二传输管和下拉管版图结构连接；两块半边基本单元版图模块位置紧贴。

2.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，每个半边基本单元版图模块中，所述第一上拉管版图结构，第二上拉管版图结构，第一传输管和下拉管版图结构，第二传输管和下拉管版图结构，第一P阱，N阱，第二P阱；沿垂直或者水平方向上分布。

3.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，每个半边基本单元版图模块中，所述第一上拉管版图结构的漏端与所述第一传输管和下拉管版图结构的漏端位置相邻；所述第二上拉管版图结构的漏端与所述第二传输管和下拉管版图结构的漏端位置相邻。

4.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述第一上拉管版图结构和所述第二上拉管版图结构均至少包括：有源区图形，以及位于有源区图形上的P型注入区、两条横跨在所述有源区图形上的多晶硅图形，以及位于所述多晶硅图形上的接触孔；两条多晶硅图形沿垂直或者水平方向上分布，且两者共用一个源区；

所述第一传输管和下拉管版图结构和所述第二传输管和下拉管版图结构均至少包括：有源区图形，以及位于有源区图形上的N型注入区、四条横跨在所述有源区图形上的多晶硅图形，以及位于所述多晶硅图形上的接触孔；四条多晶硅图形沿垂直或者水平方向上分布，且相邻的两条多晶硅图形共用源区或漏区；

所述第一上拉管版图结构、第二上拉管版图结构、第一传输管和下拉管版图结构、第二传输管和下拉管版图结构中均包括的有源区图形形成一个整体。

5.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，每个半边基本单元版图模块均还包括：

电源线图形，所述电源线图形位于所述N阱的上方位置；

地线图形，所述地线图形位于所述第一P阱和所述第二P阱的上方位置。

6.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，每个半边基本单元版图模块均还包括字线图形；

所述字线图形位于所述半边基本单元版图模块的中间位置；所述字线图形为非顶层金属工艺图层。

7.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，每个半边基本单元版图模块均还包括位线对图形；

所述位线对图形分别位于所述第一传输管和下拉管版图结构、所述第二传输管和下拉管版图结构的上方位置；所述位线对图形为非顶层金属工艺图层。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的版图结构，其特征在于，两块半边基本单元版图模块的两个第一上拉管版图结构连接，两块半边基本单元版图模块的两个第一传输管和下拉管版图结构连接，作为一个基本存储单元；两块半边基本单元版图模块的两个第二上拉管版图结构连接，两块半边基本单元版图模块的两个第二传输管和下拉管版图结构连接，作为另一个基本存储单元。

9.根据权利要求8所述的版图结构，其特征在于，两个存储单元的四个半单元结构采用垂直或者水平方向上的交叉布置。

10.根据权利要求8所述的版图结构，其特征在于，该版图结构中，当其中任意一个基本存储单元中的存储节点发生翻转时能够恢复至原存储值。