[发明专利]一种低开销抗辐射存储单元版图结构

说明书

一种低开销抗辐射存储单元版图结构，由两块半边基本单元版图模块拼接组成；每个半边基本单元版图模块中：第一P阱位于第一传输管和下拉管版图结构的一侧；第一传输管和下拉管版图结构的另一侧与第一上拉管版图结构紧贴；N阱位于第一上拉管版图结构和第二上拉管版图结构中间；第二P阱位于第二传输管和下拉管版图结构的一侧；第二传输管和下拉管版图结构的另一侧与第二上拉管版图结构紧贴；两个第一上拉管版图结构连接，两个第一传输管和下拉管版图结构连接；两个第二上拉管版图结构连接；两个第二传输管和下拉管版图结构连接；两块半边基本单元版图模块位置紧贴。本发明减少了版图面积消耗，增强抗辐射性能的效果。

技术领域

本发明涉及一种低开销抗辐射存储单元版图结构，涉及静态随机存取存储器领域。

背景技术

静态随机存取存储器为易失性存储器，主要用于数据的存取。

在复杂空间辐射环境中，静态随机存储存储器易受到辐射影响，发生性能退化或失效，存储阵列的耐辐射能力直接决定存储器读取数据的可靠性，尤其随着工艺尺寸的降低，翻转错误率会显著增加，因此对存储单元进行加固，对于宇航应用的存储器来说极其重要。双互锁存储单元结构是典型的冗余加固结构，对于单个粒子翻转具有免疫效果，但是一旦多节点翻转则无法应对。为提升存储单元的抗单粒子翻转性能，进行存储单元节点远置，拉开敏感节点之间的版图间距布局是常见的处理方式。然而，针对不同双互锁存储单元结构，节点远置导致版图结构不够紧凑，不适用于高密度SRAM存储单元结构。如何针对双互锁存储单元结构和其特点，提升存储单元抗辐射性能，减小面积损耗，是一个重要难题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提升存储单元抗辐射性能，减小面积损耗。

本发明目的通过以下技术方案予以实现：

一种低开销抗辐射存储单元版图结构，由两块半边基本单元版图模块拼接组成；

每个半边基本单元版图模块包括：第一上拉管版图结构、第二上拉管版图结构、第一传输管和下拉管版图结构、第二传输管和下拉管版图结构、第一P阱、N阱、第二P阱；所述第一P阱位于第一传输管和下拉管版图结构的一侧；第一传输管和下拉管版图结构的另一侧与第一上拉管版图结构紧贴；所述N阱位于第一上拉管版图结构和第二上拉管版图结构中间；所述第二P阱位于第二传输管和下拉管版图结构的一侧；第二传输管和下拉管版图结构的另一侧与第二上拉管版图结构紧贴；

两块半边基本单元版图模块的两个第一上拉管版图结构连接，两块半边基本单元版图模块的两个第一传输管和下拉管版图结构连接；两块半边基本单元版图模块的两个第二上拉管版图结构连接；两块半边基本单元版图模块的两个第二传输管和下拉管版图结构连接；两块半边基本单元版图模块位置紧贴。

优选的，每个半边基本单元版图模块中，所述第一上拉管版图结构，第二上拉管版图结构，第一传输管和下拉管版图结构，第二传输管和下拉管版图结构，第一P阱，N阱，第二P阱；沿垂直或者水平方向上分布。

优选的，每个半边基本单元版图模块中，所述第一上拉管版图结构的漏端与所述第一传输管和下拉管版图结构的漏端位置相邻；所述第二上拉管版图结构的漏端与所述第二传输管和下拉管版图结构的漏端位置相邻。

优选的，所述第一上拉管版图结构和所述第二上拉管版图结构均至少包括：有源区图形，以及位于有源区图形上的P型注入区、两条横跨在所述有源区图形上的多晶硅图形，以及位于所述多晶硅图形上的接触孔；两条多晶硅图形沿垂直或者水平方向上分布，且两者共用一个源区；

所述第一传输管和下拉管版图结构和所述第二传输管和下拉管版图结构均至少包括：有源区图形，以及位于有源区图形上的N型注入区、四条横跨在所述有源区图形上的多晶硅图形，以及位于所述多晶硅图形上的接触孔；四条多晶硅图形沿垂直或者水平方向上分布，且相邻的两条多晶硅图形共用源区或漏区；