[发明专利]存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器，包括相对设置的第一金属结构与第二金属结构，以及形成于所述第一金属结构与所述第二金属结构之间的存储单元；其特征在于，所述存储单元具有开口朝向所述第二金属结构的沟槽结构，所述沟槽结构的底部与所述第一金属结构相接；

所述存储器还包括连接结构，所述连接结构具有连接层、自所述连接层向所述第二金属结构延伸并与所述第二金属结构相接的连接部、以及自所述连接层向所述沟槽结构延伸并与所述沟槽结构的内壁相接的凸出部，所述沟槽结构的内壁轮廓与所述凸出部的轮廓相适配。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储单元包括形状一致的第一电极层、介电层及第二电极层，所述沟槽结构的底部的所述第一电极层与所述第一金属结构相接，所述第二电极层包覆所述凸出部、以通过所述凸出部、所述连接层以及所述连接部与所述第二金属结构导电连接。

3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述介电层的材料为铁电材料或相变材料。

4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述连接结构的材料为金属钨。

5.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

提供一基底，所述基底上形成有第一金属结构以及包覆所述第一金属结构的第一介质层；

于所述第一介质层上形成具有沟槽结构的存储单元，所述沟槽结构的开口背向所述第一金属结构，所述沟槽结构的底部与所述第一金属结构相接；于所述存储单元上形成连接结构，所述连接结构具有连接层、自所述连接层向远离所述沟槽结构方向延伸的连接部、以及自所述连接层向所述沟槽结构延伸且与所述沟槽结构的内壁相接的凸出部，所述沟槽结构的内壁轮廓与所述凸出部的轮廓相适配；

于所述连接结构上形成第二金属结构，所述第二金属结构与所述连接部相接。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述提供一基底的步骤进一步包括：

提供一衬底；

于所述衬底上形成晶体管结构及第一金属层，所述第一金属层包括多个图形化的第一金属结构，其中一所述第一金属结构用于与所述沟槽结构的底部相接；

于所述晶体管结构的表面及所述第一金属层的表面形成所述第一介质层。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述于所述第一介质层上形成具有沟槽结构的存储单元的步骤进一步包括：

于所述第一介质层内形成暴露部分所述第一金属结构的第一通孔；

于所述第一介质层的表面以及所述第一通孔的内壁依次形成第一电极材料层、介电材料层及第二电极材料层；

图形化所述第二电极材料层、介电材料层及第一电极材料层，形成第二电极层、介电层及第一电极层，所述第二电极层、介电层及第一电极层构成所述存储单元，所述第一通孔内的第一电极层、介电层及第二电极层形成所述沟槽结构，且所述沟槽结构的底部的第一电极层与所述第一金属结构相接。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述于所述存储单元上形成连接结构的步骤进一步包括：

于所述第一通孔内的第二电极层表面形成所述凸出部，所述沟槽结构的内壁的第二电极层包覆所述凸出部；

于所述第一介质层的表面、所述存储单元的表面以及所述凸出部的表面形成第二介质层；

于所述第二介质层内形成暴露所述存储单元及所述凸出部的第二通孔；

于所述第二通孔内形成所述连接层，所述连接层与所述凸出部相接；

于所述第二介质层的表面、所述连接层的表面形成第三介质层；

于所述第三介质层内形成暴露部分所述连接层的第三通孔；

于所述第三通孔内形成所述连接部，所述连接部与所述连接层相接。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述于所述第一介质层的表面、所述存储单元的表面以及所述凸出部的表面形成第二介质层的步骤之前还包括：

于所述第一介质层的表面、所述存储单元的表面以及所述凸出部的表面形成保护层，所述第二介质层覆盖在所述保护层表面。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述介电层的材料为铁电材料或相变材料，所述连接结构的材料为金属钨。