[发明专利]图像传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

衬底，包括相对的第一表面和第二表面，所述衬底内间隔设置有多个像素区，所述衬底具有第一导电类型；

第一沟槽，位于相邻所述像素区之间，自所述第一表面延伸至所述衬底内；

光电二极管，位于所述像素区内，且靠近所述第一表面一侧；

第二沟槽，位于相邻所述像素区之间，自所述第二表面延伸至所述衬底内；

第一掺杂区和第二掺杂区，间隔设置于所述衬底内，且所述第一掺杂区和所述第二掺杂区交替排布，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别围绕间隔设置的不同所述第二沟槽，所述第一掺杂区具有第一导电类型，所述第二掺杂区具有第二导电类型；

所述图像传感器还包括：

第三掺杂区，设置于所述衬底内，且围绕所述第一沟槽并于所述第一沟槽外侧包覆所述第一沟槽侧壁，所述第三掺杂区与所述第一掺杂区或所述第二掺杂区相对设置，所述第三掺杂区具有第一导电类型；

第一应力缓冲层，位于所述第一沟槽的侧壁和底部；

第一高K介电层，位于所述第一应力缓冲层的表面；

第一介质层，位于第一高K介电层的表面，以填充所述第一沟槽。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，同一所述像素区内，所述光电二极管远离所述第一掺杂区，靠近所述第二掺杂区。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二掺杂区两侧的所述像素区内的所述光电二极管对称设置。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一沟槽与所述第二沟槽连通。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

第二应力缓冲层，位于所述第二沟槽的侧壁和底部；

第二高K介电层，位于所述第二应力缓冲层的表面；

第二介质层，位于第二高K介电层的表面，以填充所述第二沟槽。

6.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；所述衬底包括相对的第一表面和第二表面，所述衬底内间隔设置有多个像素区，所述衬底具有第一导电类型；

自所述第一表面刻蚀所述衬底，以于相邻所述像素区之间形成第一沟槽；

自所述第一表面对衬底进行掺杂，以于所述像素区内形成光电二极管；

自所述第二表面刻蚀所述衬底，以于相邻所述像素区之间形成第二沟槽；

通过所述第二沟槽对所述衬底进行掺杂，以于所述衬底内形成间隔的第一掺杂区和第二掺杂区，且所述第一掺杂区和所述第二掺杂区交替排布，围绕间隔设置的不同所述第二沟槽，位于同一所述像素区相对两侧的所述第二沟槽分别被所述第一掺杂区和所述第二掺杂区围绕，所述第一掺杂区具有第一导电类型，所述第二掺杂区具有第二导电类型；

通过所述第一沟槽对所述衬底进行掺杂，以于所述衬底内形成间隔的第三掺杂区，所述第三掺杂区围绕所述第一沟槽且于所述第一沟槽外侧包覆所述第一沟槽侧壁，以使所述第三掺杂区与所述第一掺杂区或所述第二掺杂区相对设置，所述第三掺杂区具有第一导电类型；

于所述第一沟槽的侧壁和底部形成第一应力缓冲层；

于所述第一应力缓冲层的表面形成第一高K介电层；

于第一高K介电层的表面形成第一介质层，以填充所述第一沟槽。

7.根据权利要求6所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，同一所述像素区内，所述光电二极管远离所述第一掺杂区，靠近所述第二掺杂区。

8.根据权利要求6所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述第二掺杂区两侧的所述像素区内的所述光电二极管对称设置。

9.根据权利要求6所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，自所述第二表面刻蚀所述衬底，以于相邻所述像素区之间形成第二沟槽，包括：

自所述第二表面刻蚀所述衬底至所述第一沟槽的底部，使得所述第二沟槽和所述第一沟槽连通。

10.根据权利要求6所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，自所述第二沟槽对所述衬底进行掺杂，以于所述衬底内形成间隔的第一掺杂区和第二掺杂区之后，包括：

于所述第二沟槽的侧壁和底部形成第二应力缓冲层；

于所述第二应力缓冲层的表面形成第二高K介电层；

于所述第二高K介电层的表面形成第二介质层，以填充所述第二沟槽。