[发明专利]图像传感器及其制备方法

说明书

本公开涉及一种图像传感器及其制备方法，包括：衬底，包括相对的第一表面和第二表面，所述衬底内间隔设置有多个像素区，所述衬底具有第一导电类型；第一沟槽，位于相邻所述像素区之间，自所述第一表面延伸至所述衬底内；光电二极管，位于所述像素区内，且靠近所述第一表面一侧；第二沟槽，位于相邻所述像素区之间，自所述第二表面延伸至所述衬底内；第一掺杂区和第二掺杂区，间隔设置于所述衬底内，且围绕所述第二沟槽，所述第一掺杂区具有第一导电类型，所述第二掺杂区具有第二导电类型。通过间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区，使得空穴被吸引，而电子流向相应的光电二极管，从而减缓电荷串扰现象发生，提高了图像传感器生成图像的质量。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种图像传感器及其制备方法。

背景技术

图像传感器是利用光电二极管的光电转换功能将感光面接收的光线转换为与光线量成相关关系的电信号的器件。图像传感器具有体积小、重量轻、集成度高、分辨率高、功耗低、寿命长、价格低等特点，在各种现代电子器件中得到了广泛应用。

图像传感器中设置有多个像素区。电子在像素区中移动时，会出现电荷串扰的现象。即，电子进入相邻像素区，被相邻像素区内的光电二极管收集。电荷串扰对图像传感器传递电信号产生影响，造成输出图像解析度及均匀性降低，最终影响输出图像的质量。

发明内容

基于此，有必要针对上述电荷串扰问题提供一种图像传感器及其制备方法。

为了实现上述目的，一方面，本公开提供了一种图像传感器，包括：

衬底，包括相对的第一表面和第二表面，所述衬底内间隔设置有多个像素区，所述衬底具有第一导电类型；

第一沟槽，位于相邻所述像素区之间，自所述第一表面延伸至所述衬底内；

光电二极管，位于所述像素区内，且靠近所述第一表面一侧；

第二沟槽，位于相邻所述像素区之间，自所述第二表面延伸至所述衬底内；

第一掺杂区和第二掺杂区，间隔设置于所述衬底内，且围绕所述第二沟槽，所述第一掺杂区具有第一导电类型，所述第二掺杂区具有第二导电类型。

在其中一个实施例中，同一所述像素区内，所述光电二极管远离所述第一掺杂区，靠近所述第二掺杂区。

在其中一个实施例中，所述第二掺杂区两侧的所述像素区内的所述光电二极管对称设置。

在其中一个实施例中，所述第一沟槽与所述第二沟槽连通。

在其中一个实施例中，还包括：

第三掺杂区，设置于所述衬底内，且围绕所述第一沟槽，所述第三掺杂区具有第一导电类型；

第一应力缓冲层，位于所述第一沟槽的侧壁和底部；

第一高K介电层，位于所述第一应力缓冲层的表面；

第一介质层，位于第一高K介电层的表面，以填充所述第一沟槽。

在其中一个实施例中，还包括：

第二应力缓冲层，位于所述第二沟槽的侧壁和底部；

第二高K介电层，位于所述第二应力缓冲层的表面；

第二介质层，位于第二高K介电层的表面，以填充所述第二沟槽。

本公开还提供了一种图像传感器的制备方法，包括：

提供衬底；所述衬底包括相对的第一表面和第二表面，所述衬底内间隔设置有多个像素区，所述衬底具有第一导电类型；

自所述第一表面刻蚀所述衬底，以于相邻所述像素区之间形成第一沟槽；