[发明专利]发光元件、其制造方法及包含其的显示装置在审
申请号: | 202310204696.9 | 申请日: | 2023-03-06 |
公开(公告)号: | CN115986030A | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 廖启昇;许明祺;陈玠鸣;简伯儒;林彬成;廖达文 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L27/15;H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王锐 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 制造 方法 包含 显示装置 | ||
1.一种发光元件,包括:
第一半导体图案,具有第一侧、第二侧、第三侧及第四侧,其中所述第一侧与所述第二侧相对,所述第三侧与所述第四侧相对,且所述第三侧及所述第四侧各自连接所述第一侧与所述第二侧;
第二半导体图案,位于所述第一半导体图案的所述第二侧,且所述第二半导体图案的长度大于所述第一半导体图案的长度;
发光图案,位于所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间;
第一电极,位于所述第二半导体图案的远离所述第一半导体图案的一侧,且电连接所述第二半导体图案;以及
第二电极,位于所述第一半导体图案的所述第三侧及所述第四侧,且电连接所述第一半导体图案。
2.如权利要求1所述的发光元件,其中所述第二电极环绕所述第一半导体图案。
3.如权利要求1所述的发光元件,其中所述第二电极实体接触所述第一半导体图案的所述第三侧及所述第四侧。
4.如权利要求1所述的发光元件,其中所述第一电极包括高反射率导电材料。
5.如权利要求1所述的发光元件,其中所述第一电极的长度为所述第二半导体图案的长度的20%至90%。
6.如权利要求1所述的发光元件,其中所述第二电极还位于所述第一半导体图案的所述第一侧。
7.如权利要求6所述的发光元件,其中所述第二电极具有第一开口,且所述第一开口露出所述第一半导体图案。
8.如权利要求1所述的发光元件,还包括第一透明导电图案,位于所述第一电极与所述第二半导体图案之间。
9.一种显示装置,包括:
电路基板;以及
多个如权利要求1至8中任一所述的发光元件,设置于所述电路基板上,且电连接所述电路基板。
10.如权利要求9所述的显示装置,还包括第一接垫及第二接垫,其中所述第一电极电连接所述第一接垫,且所述第二电极通过第二透明导电层电连接所述第二接垫。
11.如权利要求9所述的显示装置,还包括保护层,覆盖多个所述发光元件及所述第二透明导电层。
12.一种发光元件的制造方法,包括:
形成第一半导体层于生长基板之上,且所述第一半导体层的第一侧靠近所述生长基板;
形成发光层于所述第一半导体层的第二侧上,且所述第二侧与所述第一侧相对;
形成第二半导体层于所述发光层上;
形成第一电极于所述第二半导体层上;
移除所述生长基板;
图案化所述第一半导体层、所述发光层及所述第二半导体层,以分别形成第一半导体图案、发光图案及第二半导体图案,且所述第二半导体图案的长度大于所述第一半导体图案的长度;以及
形成第二电极于所述第一半导体图案的第三侧及第四侧,且所述第三侧及所述第四侧各自连接所述第一侧与所述第二侧。
13.如权利要求12所述的发光元件的制造方法,还包括在形成所述第一半导体层之前形成缓冲层于所述生长基板上。
14.如权利要求13所述的发光元件的制造方法,还包括在移除所述生长基板之后移除所述缓冲层。
15.如权利要求12所述的发光元件的制造方法,还包括在形成所述第二半导体层之后形成第一透明导电层于所述第二半导体层上。
16.如权利要求15所述的发光元件的制造方法,还包括对所述第一透明导电层进行退火制作工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310204696.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。