[发明专利]发光元件、其制造方法及包含其的显示装置在审
申请号: | 202310204696.9 | 申请日: | 2023-03-06 |
公开(公告)号: | CN115986030A | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 廖启昇;许明祺;陈玠鸣;简伯儒;林彬成;廖达文 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L27/15;H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王锐 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 制造 方法 包含 显示装置 | ||
本发明公开一种发光元件、其制造方法及包含其的显示装置,其中该发光元件包括:第一半导体图案、第二半导体图案、发光图案、第一电极以及第二电极。第一半导体图案具有第一侧、第二侧、第三侧及第四侧,其中第一侧与第二侧相对,第三侧与第四侧相对,且第三侧及第四侧连接第一侧与第二侧。第二半导体图案位于第一半导体图案的第二侧,且第二半导体图案的长度大于第一半导体图案的长度。发光图案位于第一半导体图案与第二半导体图案之间。第一电极位于第二半导体图案的远离第一半导体图案的一侧,且电连接第二半导体图案。第二电极位于第一半导体图案的第三侧及第四侧,且电连接第一半导体图案。
技术领域
本发明涉及一种发光元件、发光元件的制造方法及包含发光元件的显示装置。
背景技术
微型发光二极管(Micro-LED)显示装置具有省电、高效率、高亮度及反应时间快等优点。一般而言,微型发光二极管依其两电极在发光叠层的同一侧或不同侧可区分为水平式(Lateral)及垂直式(Vertical)微型发光二极管,其中垂直式微型发光二极管因其散热及发光效率较佳,有望成为未来的主流结构。
由于垂直式微型发光二极管的高度较高,在巨量转移(Mass Transfer)至电路基板上之后,需要使用多层(至少三层)平坦层来填补地形段差,以便于电极的桥接。然而,多层平坦层的平坦度难以控制,导致电极的桥接良率不佳,而影响显示装置的生产良率。
发明内容
本发明提供一种发光元件,具有便于电极桥接的结构。
本发明提供一种发光元件的制造方法,能够生产具有便于电极桥接的结构的发光元件。
本发明提供一种显示装置,具有提高的生产良率。
本发明的一个实施例提出一种发光元件,包括:第一半导体图案,具有第一侧、第二侧、第三侧及第四侧,其中第一侧与第二侧相对,第三侧与第四侧相对,且第三侧及第四侧连接第一侧与第二侧;第二半导体图案,位于第一半导体图案的第二侧,且第二半导体图案的长度大于第一半导体图案的长度;发光图案,位于第一半导体图案与第二半导体图案之间;第一电极,位于第二半导体图案的远离第一半导体图案的一侧,且电连接第二半导体图案;以及第二电极,位于第一半导体图案的第三侧及第四侧,且电连接第一半导体图案。
在本发明的一实施例中,上述的第二电极环绕第一半导体图案。
在本发明的一实施例中,上述的第二电极实体接触第一半导体图案的第三侧及第四侧。
在本发明的一实施例中,上述的第一电极包括高反射率导电材料。
在本发明的一实施例中,上述的第一电极的长度为第二半导体图案的长度的20%至90%。
在本发明的一实施例中,上述的第二电极还位于第一半导体图案的第一侧。
在本发明的一实施例中,上述的第二电极具有第一开口,且第一开口露出第一半导体图案。
在本发明的一实施例中,上述的发光元件还包括第一透明导电图案,位于第一电极与第二半导体图案之间。
本发明的一个实施例提出一种显示装置,包括:电路基板;以及多个上述的发光元件,设置于电路基板上,且电连接电路基板。
在本发明的一实施例中,上述的显示装置还包括第一接垫及第二接垫,其中第一电极电连接第一接垫,且第二电极通过第二透明导电层电连接第二接垫。
在本发明的一实施例中,上述的显示装置还包括保护层,覆盖多个发光元件及第二透明导电层。
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