[发明专利]一种倒装焊接方法及光器件在审
申请号: | 202310206853.X | 申请日: | 2023-03-06 |
公开(公告)号: | CN116364567A | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 唐开 | 申请(专利权)人: | 武汉光启源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L27/15 |
代理公司: | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人: | 方可 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖新*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 倒装 焊接 方法 器件 | ||
1.一种倒装焊接方法,其特征在于,所述倒装焊接方法包括:
S1、提供芯片(1)和基板(2),通过打线机和金线在所述芯片(1)的各pad点(4)上植第一金柱(11),在所述基板(2)的各pad点(4)上植第二金柱(21),多个所述第一金柱(11)和多个所述第二金柱(21)一一对应;
S2、提供平板(3),将所述平板(3)分别放置在多个所述第一金柱(11)和多个所述第二金柱(21)上方,并对所述平板(3)施加预压力并驱动平板(3)下移,以分别挤压多个所述第一金柱(11)和多个所述第二金柱(21),从而分别使得多个所述第一金柱(11)和多个所述第二金柱(21)的高度一致;
S3、对应焊接预压后的多个所述第一金柱(11)和多个所述第二金柱(21),获得光器件。
2.根据权利要求1所述的一种倒装焊接方法,其特征在于,步骤S1中,各所述第一金柱(11)和各所述第二金柱(21)的高度为40-60um。
3.根据权利要求2所述的一种倒装焊接方法,其特征在于,步骤S2中,预压后,各所述第一金柱(11)和各所述第二金柱(21)的高度为20-30um。
4.根据权利要求1所述的一种倒装焊接方法,其特征在于,步骤S2中,所述预压力的大小满足如下公式:
F=n*F0;
其中,F为所述预压力,N;F0为预压力系数,F0大小为0.5-1.0,N;n为所述第一金柱(11)或者所述第二金柱(21)的个数。
5.根据权利要求1所述的一种倒装焊接方法,其特征在于,步骤S2中,所述将所述平板(3)分别放置在多个所述第一金柱(11)和多个所述第二金柱(21)上方,并对所述平板(3)施加预压力并驱动平板(3)下移,包括:
调节贴片机上吸嘴的吸附面,使得所述吸嘴的吸附面与所述芯片(1)或者所述基板(2)平行;
通过所述吸嘴吸取平板(3),并控制贴片机移动的精度,保证所述平板(3)平行下压所述芯片(1)的第一金柱(11)或者所述基板(2)的第二金柱(21)。
6.根据权利要求5所述的一种倒装焊接方法,其特征在于,所述平板(3)为玻璃板或者塑料板。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的一种倒装焊接方法,其特征在于,步骤S3中,所述焊接的焊接温度为250-280℃,焊接时间为30-90s。
8.根据权利要求1-6任意一项所述的一种倒装焊接方法,其特征在于,在步骤S3后,所述倒装焊接方法还包括:
在平行于所述芯片(1)的方向上,向焊接后相邻的所述第一金柱(11)和所述第二金柱(21)之间填充绝缘层。
9.一种光器件,其特征在于,所述光器件采用如权利要求1-8任意一项所述的倒装焊接方法制备得到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造