[发明专利]一种电池片的返工处理方法

权利要求书

1.一种电池片的返工处理方法，其特征在于，所述电池片的表面沉积有含有硅元素的层结构，所述电池片的返工处理方法包括以下步骤：

将所述电池片放置于真空的腔体中，然后向所述腔体中通入等离子态的腐蚀气体，将所述电池片的其中一面暴露在所述腐蚀气体中，以对所述电池片的暴露的一面进行腐蚀；

其中所述腐蚀气体包括CF₄、NF₃、CHF₃、HBr₃O₂中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的电池片的返工处理方法，其特征在于，腐蚀所述电池片时，满足以下(a)～(b)条件中的任意一项或多项：

(a)所述腔体内的压力为100～300Pa；

(b)所述腐蚀气体的流量为1000sccm～10000sccm。

3.根据权利要求2所述的电池片的返工处理方法，其特征在于，所述腔体内的压力越大，腐蚀速率越快；

和/或，所述腐蚀气体的流量越大，腐蚀速率越快。

4.根据权利要求1所述的电池片的返工处理方法，其特征在于，使用辉光电离的方式将腐蚀气体电离为等离子态。

5.根据权利要求4所述的电池片的返工处理方法，其特征在于，使用所述辉光电离的方式将腐蚀气体电离为等离子态时，满足以下(a)～(b)条件中的任意一项或多项：

(a)所述辉光电离时的功率为5000～15000W；

(b)所述辉光电离时的辉光占空比为5:5～5:100。

6.根据权利要求5所述的电池片的返工处理方法，其特征在于，所述辉光电离时的功率越大，腐蚀速率越快；

和/或，所述辉光电离时的辉光占空比越大，腐蚀速率越快。

7.根据权利要求1所述的电池片的返工处理方法，其特征在于，在通入等离子态的所述腐蚀气体的同时，还向所述腔体中通入等离子态的辅助气体，所述辅助气体中含有N₂O、O₂、O₃中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的电池片的返工处理方法，其特征在于，当所述腐蚀气体的流量为1000sccm～10000sccm时，所述辅助气体的流量为500sccm～5000sccm；

可选地，当所述腐蚀气体的流量为4000sccm～6000sccm，所述辅助气体的流量为1400sccm～2000sccm。

9.根据权利要求7～8任一项所述的电池片的返工处理方法，其特征在于，所述腐蚀气体和所述辅助气体的流量比为2:1～5:1。

10.根据权利要求1所述的电池片的返工处理方法，其特征在于，腐蚀完成后，先将所述腐蚀气体排出所述腔体，然后再向所述腔体内通入保护气体；可选地，所述保护气体为氮气、氩气中的一种或两种。