[发明专利]一种电池片的返工处理方法

说明书

本申请实施例提供一种电池片的返工处理方法，涉及太阳电池制备领域。电池片的的表面沉积有含有硅元素的层结构，其返工处理方法包括以下步骤：将电池片放置于真空的腔体中，然后向腔体中通入等离子态的腐蚀气体，以对电池片暴露的一面进行腐蚀；其中腐蚀气体包括CFsubgt;4/subgt;、NFsubgt;3/subgt;、CHFsubgt;3/subgt;、HBrsubgt;3/subgt;Osubgt;2/subgt;中的至少一种。本申请实施例的处理方法能较为精确地控制腐蚀速率和反应位置，可以在尽量不损伤诸如绒面之类的其它层结构的情况下，对电池片需要腐蚀的层结构进行腐蚀，这样能降低电池片的碎片率，提高电池片的回收效率。

技术领域

本申请涉及太阳电池制备领域，具体而言，涉及一种电池片的返工处理方法。

背景技术

在太阳电池的制备过程中，往往需要经过多个制备工序才能形成高效率的电池片。以薄膜沉积工序为例，该工序需要在硅片的表面沉积氮化硅层、氧化硅层以及非晶硅(Poly，Polysilicon)层等含硅元素的层结构。但是由于该工序较为复杂，容易在电池片的表面产生厚度不均匀的Poly层，也容易在电池片中沉积厚度太大或厚度不均匀的氮化硅层以及氧化硅层，这种电池片需要返工重新处理后才能再次使用，否则会影响太阳电池的转化效率。现有技术在返工处理这类电池片时，一般是将电池片收集到清洗花篮中，然后再放在电池片清洗机里面采用湿法腐蚀的方式进行处理，这样能除去电池片中的一些层结构，将电池片变成需要重新制绒的硅片。湿法腐蚀的处理方法依次包括酸洗、水洗、碱洗、烘干等步骤，其中酸洗一般是用HF和HCl清洗，以去除电池片表面的氮化硅层以及氧化硅层及表面的脏污；水洗可以冲洗电池片表面残留的酸；碱洗可以除去电池片中的非晶硅(Poly，Polysilicon)层。

但是湿法腐蚀的处理方式存在诸多问题，比如在碱洗过程中，需要将电池片整个泡在溶液中，这样电池片不仅表面的非晶硅层会被除去，其它含有硅的层结构(比如晶硅层或者掺杂硅片)也会被腐蚀；而且碱洗过程中的硅片的反应速率也无法控制，这会导致处理后得到的硅片变薄，后续在制绒等其它的处理过程中，硅片容易碎裂。另外，湿法腐蚀会破坏掺杂硅片表面原本的绒面结构，因此湿法腐蚀处理后得到的掺杂硅片要想重新利用，必须要进行制绒的工序，这降低了电池片的回收利用的效率。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种电池片的返工处理方法，可以在尽量不损伤其它层结构的情况下，对电池片需要腐蚀的层结构进行腐蚀，尤其是不容易损伤掺杂硅片的金字塔型的绒面；这样不仅能降低电池片的碎片率，也能提高电池片的回收效率。

本申请实施例的电池片的返工处理方法包括以下步骤：将电池片放置于真空的腔体中，然后向腔体中通入等离子态的腐蚀气体，以对电池片的暴露的一面进行腐蚀；其中腐蚀气体包括CF₄、NF₃、CHF₃、HBr₃O₂中的至少一种；其中电池片的表面沉积有含有硅元素的层结构。

在上述技术方案中，将电池片放置在腔体中后通入等离子态的腐蚀气体，电池片的其中一面就会暴露在腐蚀气体中，等离子态的气体会和硅元素发生反应，这样等离子态的腐蚀气体就能针对性地对电池片暴露的一面进行腐蚀，不容易损害其它层结构，也更不容易损伤掺杂硅片的金字塔型的绒面，这样有利于降低电池片的碎片率。

结合第一方面，本申请可选的实施方式中，腐蚀电池片时，满足以下(a)～(b)条件中的任意一项或多项：(a)腔体内的压力为100～300Pa；(b)腐蚀气体的流量为1000sccm～10000sccm。

当返工处理时的参数满足上述条件时，可以较为精确地控制腐蚀速率以及腐蚀厚度。

结合第一方面，本申请可选的实施方式中，腔体内的压力越大，腐蚀速率越快；和/或，腐蚀气体的流量越大，腐蚀速率越快。

结合第一方面，本申请可选的实施方式中，使用辉光电离的方式将腐蚀气体电离为等离子态。