[发明专利]一种基于自旋轨道转矩的磁性随机存储器及制备方法在审
| 申请号： | 202310255935.3 | 申请日： | 2023-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN116390631A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 梁梦凡;骆泳铭;庄燕山;陈建辉;冯重舒 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 自旋 轨道 转矩 磁性 随机 存储器 制备 方法 | ||
1.一种基于自旋轨道转矩的磁性随机存储器，其特征在于：磁性随机存储器选择斜切衬底且具有多层膜结构，多层膜结构从上到下依次为：导电层、保护层、薄膜层；所述薄膜层制备为Hall Bar器件。
2.根据权利要求1所述的一种基于自旋轨道转矩的磁性随机存储器，其特征在于：所述的薄膜层结构从上到下依次为Co、Pt、Co、Pt、Co、Pt，上层中Co的厚度为0.8-1nm，Pt的厚度为0.3-0.6nm，中间层Co的厚度为0.3-0.5nm，Pt的厚度同样为0.5-0.6nm，最下层的Co的厚度为0.3-0.5nm，Pt厚度为0.7-1nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于自旋轨道转矩的磁性随机存储器，其特征在于：所述薄膜层中Co膜和Pt膜的厚度呈梯度变化。
4.根据权利要求1所述的一种基于自旋轨道转矩的磁性随机存储器，其特征在于：所述的斜切衬底选择氧化铝斜切衬底。
5.根据权利要求1所述的一种基于自旋轨道转矩的磁性随机存储器，其特征在于：所述的斜切角度为3°-10°。
6.根据权利要求1或4所述的一种基于自旋轨道转矩的磁性随机存储器，其特征在于：所述的斜切角度为5°。
7.根据权利要求1所述的一种基于自旋轨道转矩的磁性随机存储器，其特征在于：所述导电层应为导电材料，为Al、Pt或Ru，厚度为20nm。
8.根据权利要求1所述的一种基于自旋轨道转矩的磁性随机存储器，其特征在于：所述保护层应为保护材料，为Ta，厚度为1-3nm。
9.根据权利要求1所述的一种基于自旋轨道转矩的磁性随机存储器的制备方法，其特征在于：先在斜切衬底上依次通过磁控溅射方法溅射Pt层、Co层、Pt层、Co层、Pt层、Co层、Ta层；然后将多层膜结构加工制备成十字型Hall Bar结构器件；最后在Hall Bar的四个引脚预留的位置上镀上电极。
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