[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

纳米结构沟道区域，设置在所述衬底上；

栅极结构，围绕所述纳米结构沟道区域；

第一空气间隔件，设置在所述栅极结构上；

源极/漏极(S/D)区域，设置在所述衬底上；以及

接触结构，设置在所述源极/漏极区域上，其中，所述接触结构包括：

硅化物层，设置在所述源极/漏极区域上；

导电层，设置在所述硅化物层上；

介电层，沿所述导电层的侧壁设置；以及

第二空气间隔件，沿所述阻挡层的侧壁设置。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：导电覆盖层，设置在所述栅极结构上，其中，所述第一空气间隔件设置为与所述导电覆盖层相邻。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：绝缘覆盖层，设置在所述栅极结构上，其中，所述第一空气间隔件设置在所述绝缘覆盖层和所述栅极结构的栅极电介质之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一空气间隔件设置在所述栅极结构的栅极介电层上。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：其它介电层，设置在所述栅极结构上，其中，所述其它介电层的部分围绕所述第一空气间隔件。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：其它介电层，设置在所述接触结构上，其中，所述其它介电层的部分围绕所述第二空气间隔件。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一介电层和第二介电层，分别设置在所述第一空气间隔件和所述第二空气间隔件上，其中，所述第二介电层设置在所述第一介电层上。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二空气间隔件垂直延伸至所述第一空气间隔件的顶面之上并且垂直延伸至所述第一空气间隔件的底面之下。

9.一种半导体器件，包括：

衬底；

纳米结构沟道区域，设置在所述衬底上；

栅极结构，围绕所述纳米结构沟道区域；

源极/漏极(S/D)区域，设置在所述衬底上；以及

接触结构，设置在所述源极/漏极区域上，其中，所述接触结构包括：

硅化物层，设置在所述源极/漏极区域上；

导电层，设置在所述硅化物层上；

第一介电层，沿所述导电层的侧壁设置；

第二介电层，沿所述第一介电层的侧壁设置；以及

空气间隔件，设置在所述第一介电层和所述第二介电层之间。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成具有以交替配置布置的第一纳米结构层和第二纳米结构层的超晶格结构；

在所述超晶格结构上形成多晶硅结构；

在所述衬底上形成源极/漏极(S/D)区域；

用栅极结构替换所述多晶硅结构和所述第二纳米结构层；

在所述栅极结构上形成第一空气间隔件；

在所述源极/漏极区域上形成开口；

沿所述开口的侧壁形成半导体层；

在所述开口中和所述半导体层上形成导电层；以及

去除所述半导体层以沿所述导电层的侧壁形成第二空气间隔件。