[发明专利]一种晶圆翘曲度调整方法、装置、设备及可读存储介质

说明书

本申请公开了一种晶圆翘曲度调整方法、装置、设备及可读存储介质，承载平台分为的各平台区域的吸附力大小独立控制，方法包括：当晶圆在承载平台上薄膜沉积后，获取晶圆中各对应晶圆区域的翘曲度参数；根据各晶圆区域的翘曲度参数确定各平台区域的吸附力；当下一片晶圆在承载平台上沉积薄膜时，根据各平台区域的吸附力对各平台区域的吸附力进行控制，以使薄膜沉积后的晶圆中的各晶圆区域的翘曲度参数位于预设范围内。本申请公开的技术方案，通过在晶圆沉积薄膜时根据上一片晶圆沉积薄膜后各区域的翘曲度参数来对各平台区域的吸附力进行独立控制而实现对晶圆不同区域、不同方向翘曲度进行动态调节，以满足翘曲度的稳定，从而提高翘曲度调整效果。

技术领域

本申请涉及三维集成技术领域，更具体地说，涉及一种晶圆翘曲度调整方法、装置、设备及可读存储介质。

背景技术

在三维集成领域，晶圆键合等很多工艺对晶圆的翘曲度有着较高的要求。通常需要监测晶圆的翘曲度，并在特定的工艺站点对晶圆翘曲度进行调整，以便提高产品的良品率和性能。

目前，常通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)等方式在晶圆表面沉积薄膜，以对晶圆的翘曲度进行调整。具体地，是将晶圆吸附在承载平台上，并在晶圆表面沉积薄膜。但是，由于不同方向随着晶向差异、X/Y方向设计差异及工业复杂度增多，晶圆翘曲度会急剧恶化，各向翘曲度差异较大，而目前通过薄膜沉积工艺进行翘曲度调整是没有方向性的，无法针对晶圆不同方向的翘曲度进行调整，从而导致晶圆翘曲度调整效果较差。

综上所述，如何提高晶圆翘曲度调整效果，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的是提供一种晶圆翘曲度调整方法、装置、设备及可读存储介质，

为了实现上述目的，本申请提供如下技术方案：

一种晶圆翘曲度调整方法，用于承载晶圆的承载平台分为多个平台区域，各所述平台区域的吸附力大小独立控制，所述晶圆翘曲度调整方法包括：

当待处理晶圆在所述承载平台上完成薄膜沉积后，获取所述待处理晶圆中与各所述平台区域对应的晶圆区域的翘曲度参数；

根据各所述晶圆区域的翘曲度参数，确定各所述平台区域的吸附力大小；

当下一片待处理晶圆在所述承载平台上沉积薄膜时，根据确定出的各所述平台区域的吸附力大小对各所述平台区域的吸附力进行控制，以使薄膜沉积后的晶圆中的各晶圆区域的翘曲度参数位于预设范围内。

优选的，根据各所述晶圆区域的翘曲度参数，确定各所述平台区域的吸附力大小，包括：

根据预先确定出的翘曲度参数与吸附力大小的对应关系、各所述晶圆区域的翘曲度参数，确定各所述平台区域的吸附力大小；

其中，所述对应关系通过采用先进过程控制方法多次运行根据上一片待处理晶圆在沉积薄膜后各晶圆区域的翘曲度参数调整各所述平台区域的吸附力大小进行确定。

优选的，在使薄膜沉积后的晶圆中的各晶圆区域的翘曲度参数位于预设范围内之后，还包括：

根据所述薄膜沉积后的晶圆的上一片晶圆中各所述晶圆区域的翘曲度参数、所述薄膜沉积后的晶圆在沉积薄膜时各所述平台区域的吸附力大小，对所述对应关系进行更新。

优选的，当下一片待处理晶圆在所述承载平台上沉积薄膜时，根据确定出的各所述平台区域的吸附力大小对各所述平台区域的吸附力进行控制，以使薄膜沉积后的晶圆中的各晶圆区域的翘曲度参数位于预设范围内，包括：

将下一片待处理晶圆作为当前待处理晶圆，当所述当前待处理晶圆在所述承载平台上沉积薄膜时，根据确定出的各所述平台区域的吸附力大小对各所述平台区域的吸附力进行控制；