[发明专利]图像传感器的制作方法

权利要求书

1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，自所述第一表面向所述第二表面刻蚀所述衬底形成若干深沟槽，相邻的所述深沟槽之间的所述衬底中设置有像素单元；

形成底部抗反射涂层，所述底部抗反射涂层从所述深沟槽的底部填充预设深度的所述深沟槽；所述预设深度小于所述深沟槽的深度；

湿法刻蚀所述衬底的第一表面以及所述深沟槽顶部的所述底部抗反射涂层暴露出的侧壁表面，以去除所述衬底在刻蚀形成所述深沟槽过程造成的等离子体损伤区域；

去除所述底部抗反射涂层。

2.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述预设深度为所述深沟槽的深度的50％～90％。

3.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，形成所述底部抗反射涂层具体包括：

形成底部抗反射涂层材料层，所述底部抗反射涂层材料层填充所述深沟槽并覆盖所述衬底的第一表面；

回刻蚀所述底部抗反射涂层材料层，刻蚀去除位于所述衬底的第一表面以及所述深沟槽顶部的所述底部抗反射涂层材料层；剩余的所述底部抗反射涂层材料层作为所述底部抗反射涂层。

4.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，湿法刻蚀过程中使用的刻蚀剂为TMAH溶液。

5.如权利要求4所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述TMAH溶液为四甲基氢氧化铵晶体与水配成质量分数为20％～45％的溶液，湿法刻蚀温度范围为50℃～90℃。

6.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，湿法刻蚀过程中使用的刻蚀剂为硝酸溶液，或者双氧水与氢氟酸溶液的混合溶液。

7.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，采用CF₄气体，或者CL₂和O₂的混合气体刻蚀去除所述底部抗反射涂层。

8.如权利要求1至7任意一项所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，湿法刻蚀后的所述深沟槽的顶部侧壁为斜坡状或弧形状。

9.如权利要求1至7任意一项所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，去除所述底部抗反射涂层之后，还包括：

形成隔离材料，所述隔离材料填充所述深沟槽；所述隔离材料包括二氧化硅或多晶硅。

10.如权利要求1至7任意一项所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，俯视方向看，所述深沟槽呈网格形，所述像素单元位于网格内的所述衬底中。