[发明专利]一种双极化MIMO天线的去耦结构

权利要求书

1.一种双极化MIMO天线的去耦结构，包括由天线单元组成的四单元MIMO天线，其特征在于，MIMO天线包括自上而下依次设置的介质基板S1、S2、S3、S4、S5、S6，四组十字交叉设置的馈电介质板S7，设置在馈电介质板S7正下方的四块隔离墙介质板S9，设置在相邻隔离墙介质板S9之间的介质板组S8，以及位于最底部的反射板M；介质基板S6的下表面设有四个金属辐射贴片P1；介质基板S4的上表面设有第一层去耦表面P2；介质基板S2的上表面设有第二层去耦表面P3，第二层去耦表面P3与第一层去耦表面P2形状相同，尺寸为其0.8倍；介质基板S1的上表面设有第三层去耦表面P4，第三层去耦表面P4与第二层去耦表面P3形状相同，尺寸为其0.7倍；馈电介质板S7的两交叉设置的介质板的背面分别设有Γ型馈电线P5，正面分别设有长方形金属片P6；介质板组S8包括两对十字交叉设置的介质板，其介质板背面均设有U型金属方环P7；隔离墙介质板S9表面布满金属，形成金属隔离墙；反射板M为金属反射板。

2.根据权利要求1所述的一种双极化MIMO天线的去耦结构，其特征在于，第一层去耦表面P2反射天线单元一部分入射波，其与天线单元直接耦合到另一天线单元的耦合波进行相位抵消，通过调节介质基板S4的高度以及第一层去耦表面P2的尺寸，改变匹配以及同极化端口隔离度。

3.根据权利要求1所述的一种双极化MIMO天线的去耦结构，其特征在于，入射电磁波经过介质基板S5发生折射和一部分反射，通过调整介质基板S5的高度，弥补添加去耦表面后造成的失配，并改善低频同极化端口隔离度。

4.根据权利要求1所述的一种双极化MIMO天线的去耦结构，其特征在于，入射电磁波经过介质基板S3发生折射和一部分反射，通过调整介质基板S3的高度，弥补添加去耦表面后造成的失配，并改善低频同极化端口隔离度。

5.根据权利要求1所述的一种双极化MIMO天线的去耦结构，其特征在于，通过调节第二层去耦表面P3的高度和尺寸大小，可以改善匹配、同极化端口隔离度和异极化端口隔离度。

6.根据权利要求1所述的一种双极化MIMO天线的去耦结构，其特征在于，通过调节第三层去耦表面P4的高度和尺寸大小，可以改善匹配、同极化端口隔离度和异极化端口隔离度。

7.根据权利要求1所述的一种双极化MIMO天线的去耦结构，其特征在于，馈电介质板S7前后表面分别为长方形金属片P6和Γ型馈电线P5，并且长方形金属片P6的上边缘与金属辐射贴片P1接触，下边缘与反射板M接触，构成了一种宽带巴伦馈电结构，通过调节Γ型馈电线P5的长度和线宽以及两长方形金属片P6之间的距离，可以改变天线的匹配。

8.根据权利要求1所述的一种双极化MIMO天线的去耦结构，其特征在于，通过调节介质板组S8与两天线单元连线中心的距离以及U型金属方环P7的高度，可以改变天线的异极化端口隔离度。

9.根据权利要求1所述的一种双极化MIMO天线的去耦结构，其特征在于，反射板M距离金属辐射贴片P1的距离小于16mm，0.25λ₀@3.55GHz。