[发明专利]一种平面透射电镜样品的制备方法及平面透射电镜样品

权利要求书

1.一种平面透射电镜样品的制备方法，其特征在于，包括：

提供绝缘体上硅器件样品，所述绝缘体上硅器件样品包括在厚度方向上依次层叠的顶层硅、埋氧层和基底硅；

从所述基底硅远离所述埋氧层的一侧表面开始，对所述绝缘体上硅器件样品进行减薄抛光，以形成第一抛光面，同时实时观察所述第一抛光面的表面形态；

根据所述第一抛光面的表面形态，实时获取所述第一抛光面的衬度；

在所述第一抛光面的衬度与所述基底硅的衬度的差值满足第一预设范围时，停止对所述绝缘体上硅器件样品减薄抛光，获得平面透射电镜样品；其中，所述第一预设范围为预先获得的标准的绝缘体上硅器件中埋氧层与基底硅的衬度差值范围。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，从所述基底硅远离所述埋氧层的一侧表面开始，对所述绝缘体上硅器件样品进行减薄抛光，包括：

以聚焦离子束的出射方向与所述基底硅远离所述埋氧层的一侧表面的夹角为锐角的方式，利用所述聚焦离子束对所述基底硅远离所述埋氧层的一侧表面进行减薄抛光。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘体上硅器件样品包括待分析目标区域；

实时观察所述第一抛光面的表面形态之后，还包括：

在所述第一抛光面上确定完全抛光区域和未完全抛光区域，所述完全抛光区域和所述未完全抛光区域的衬度差值满足所述第一预设范围；

在所述第一抛光面的衬度与所述基底硅的衬度的差值满足第一预设范围时，停止对所述绝缘体上硅器件样品减薄抛光之前，包括：

确定所述待分析目标区域经减薄抛光后位于所述完全抛光区域中。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，确定所述待分析目标区域经减薄抛光后位于所述完全抛光区域中，包括：

确定所述完全抛光区域与所述未完全抛光区域的分界线与第一边的距离，大于或等于所述待分析目标区域与第一边的最大距离，其中，所述第一边为所述第一抛光面远离所述聚焦离子束的出射位置的侧边。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，实时观察所述第一抛光面的表面形态，包括：

以聚焦电子束的出射方向与所述基底硅远离所述埋氧层的一侧表面的夹角为锐角的方式，利用所述聚焦电子束实时观察所述第一抛光面的表面形态。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述聚焦电子束的出射方向与所述基底硅远离所述埋氧层的一侧表面的夹角为55°-60°。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，从所述基底硅远离所述埋氧层的一侧表面开始，对所述绝缘体上硅器件样品进行减薄抛光，以形成第一抛光面，同时实时观察所述第一抛光面的表面形态，包括：

在所述第一抛光面的衬度与所述基底硅的衬度的差值满足第二预设范围时，交替进行对所述绝缘体上硅器件样品减薄抛光和观察所述第一抛光面的表面形态；其中，所述第二预设范围为预先获得的标准的绝缘体上硅器件中埋氧层与基底硅的表面形态的衬度差值范围。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，从所述基底硅远离所述埋氧层的一侧表面开始，对所述绝缘体上硅器件样品进行减薄抛光，以形成第一抛光面，同时实时观察所述第一抛光面的表面形态，包括：

在所述第一抛光面的衬度与所述基底硅的衬度的差值满足第三预设范围时，同步进行对所述绝缘体上硅器件样品减薄抛光和观察所述第一抛光面的表面形态，其中，所述基底硅包括第一部和第二部，所述第一部位于所述第二部远离所述埋氧层的一侧，所述第三预设范围为预先获得的标准的绝缘体上硅器件中第一部与基底硅的表面形态的衬度差值范围；

在所述第一抛光面的衬度与所述基底硅的衬度的差值满足第二预设范围时，交替进行对所述绝缘体上硅器件样品减薄抛光和观察所述第一抛光面的表面形态。