[发明专利]一种等离子体刻蚀机用抽气环结构、调节装置及调节方法在审
申请号: | 202310439656.2 | 申请日: | 2023-04-23 |
公开(公告)号: | CN116313725A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 刘曌宇;王俊;张二辉 | 申请(专利权)人: | 上海微芸半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人: | 夏思秋 |
地址: | 201201 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 刻蚀 机用抽气环 结构 调节 装置 方法 | ||
1.一种等离子体刻蚀机用抽气环结构,其特征在于,包括至少两个抽气环:上层抽气环(1)及下层抽气环(2);所述抽气环设置于刻蚀腔的内部,上层抽气环(1)与下层抽气环(2)形成上下堆叠结构;所述上层抽气环(1)的结构包括水平的抽气环主体(3),与内衬(4)形成一体式结构,通过内衬(4)上端的安装部(5)安装在刻蚀腔体(6)上,所述上层抽气环(1)内圈设置有向上延伸的弯折部(7);所述下层抽气环(2)的结构包括抽气环主体(3),所述抽气环主体(3)的内圈和外圈设置有向上延伸的弯折部(7)。
2.如权利要求1所述的抽气环结构,其特征在于,所述抽气环结构的厚度为刻蚀腔体直径的0.8-1.2%,两层抽气环之间的距离为所述抽气环厚度的0.5到10倍;
和/或,
上层抽气环(1)中,所述抽气环主体(3)环绕刻蚀腔内部的晶圆基座(8)设置,抽气环主体(3)的内圈和外圈分别与刻蚀腔中晶圆基座(8)的外侧以及腔体内壁(9)相抵;抽气环主体(3)内圈的弯折部(7)包裹环绕晶圆基座(8);
下层抽气环(2)中,所述抽气环主体(3)环绕刻蚀腔内部的晶圆基座(8)设置,抽气环主体(3)的内圈和外圈分别与刻蚀腔中晶圆基座(8)的外侧以及腔体内壁(9)相抵;抽气环主体(3)内圈的弯折部(7)包裹环绕晶圆基座(8),抽气环主体(3)外圈的弯折部(7)与腔体内壁(9)接触,内圈和外圈的弯折部(7)的上端与上层抽气环主体(3)接触;
和/或,
所述抽气环主体(3)上设置有不同尺寸、间隔、形状的多个排气孔(10),所述排气孔(10)在抽气环主体(3)上呈同心圆放射状分布;排气孔(10)的形状包括圆形、正方形、等边三角形、细长形;当排气孔(10)的形状为圆形时,所述排气孔(10)的直径小于等于抽气环的厚度,当排气孔(10)的形状为正方形或者等边三角形时,所述排气孔(10)的边长等于抽气环的厚度,当排气孔(10)的形状为细长形时,所述排气孔(10)的窄边的长度为抽气环的厚度;
和/或,
抽气环内圈的所述弯折部(7)和刻蚀腔中的晶圆基座(8)侧壁紧贴,抽气环外圈的弯折部(7)与腔体内壁(9)紧贴,密封所述抽气环主体上方的反应腔体。
3.如权利要求2所述的抽气环结构,其特征在于,当两层抽气环之间的距离小于所述抽气环厚度的2倍时,下层抽气环(2)与上层抽气环(1)结构保持一致。
4.如权利要求1所述的抽气环结构,其特征在于,当下层抽气环(2)不需要和上层抽气环(1)实现相对转动时,所述下层抽气环(2)与所述上层抽气环(1)通过抽气环主体(3)内圈和外圈的弯折部(7)利用螺栓或者一体式结构连接在一起;
和/或,
所述下层抽气环(2)和所述上层抽气环(1)均分别与内衬连接,形成一体式结构;
当下层抽气环(2)要和上层抽气环(1)实现相对转动时,所述下层抽气环(2)与所述上层抽气环(1)无固定连接。
5.如权利要求4所述的抽气环结构,其特征在于,当下层抽气环(2)要和上层抽气环(1)实现相对转动时,所述上层抽气环(1)的内圈还向下延伸设置有L形弯折部(11),所述下层抽气环(2)的内圈位于L形弯折部(11)空间中。
6.一种等离子体刻蚀机用多抽气环调节装置,其特征在于,所述调节装置包括如权利要求1-5之任一项所述的抽气环结构、转动机构、控制系统,所述控制系统通过控制转动机构从而控制抽气环的旋转速率或停止,通过控制抽气环的运动改变抽气效率。
7.如权利要求6所述的调节装置,其特征在于,所述转动机构包括驱动装置(12)、与驱动装置相连接的可伸缩装置(13);
所述可伸缩装置包括气缸、连杆、丝杆、伸缩杆;
所述伸缩杆的两端分别通过固定铰链与腔体和下层抽气环相连,或通过连杆结构连接抽气环和腔体,通过驱动可伸缩装置实现抽气环的转动。
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