[发明专利]一种利用RX DQS GAT识别DDR位宽的方法在审

专利信息
申请号: 202310463642.4 申请日: 2023-04-26
公开(公告)号: CN116467233A 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: 顾江波;周永波;杨阳;田飞 申请(专利权)人: 芯河半导体科技(无锡)有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F13/40
代理公司: 无锡权正知识产权代理事务所(普通合伙) 32735 代理人: 王俊峰
地址: 214135 江苏省无锡市新吴区菱*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 rx dqs gat 识别 ddr 方法
【权利要求书】:

1.一种利用RX DQS GAT识别DDR位宽的方法,其特征在于:所述方法包括如下步骤:

S1、初始化配置DDR接口时,DDRPHY按照16bit DQ数据位宽进行RX DQS GAT train自适应调节;

S2、PCBA的DRAM颗粒接收到DDRPHY发送的信号后,反馈电平跳变信号至DDRPHY;

S3、若DDRPHY接收并识别DRAM颗粒高8bit和低8bit电平跳变信号则DQ位宽为16bit;若DDRPHY仅接收DRAM颗粒低8bit电平跳变信号则DQ位宽为8bit;

RX DQS GAT train自适应调节的具体步骤包括:

S1-1、RX DQS GAT train:调节读方向的DQS delay;

S1-2、WL train:调节写方向的DQS delay;

S1-3、Read train:调节读方向的DQ delay;

S1-4、Write train:调节写方向的DQ delay。

2.根据权利要求1所述的一种利用RX DQS GAT识别DDR位宽的方法,其特征在于:执行RX DQS GAT train操作时,SOC芯片通过DDRPHY对DRAM颗粒发出读请求,DRAM颗粒回应DQS信号给到DDRPHY,DDRPHY根据从SOC芯片侧接收到的读信号经过delay后生成DQS_gat信号,用来打开接收开关,获取从DRAM返回输入的DQS_io信号,得到DQS_inner信号,用来采集DQ数据。

3.根据权利要求2所述的一种利用RX DQS GAT识别DDR位宽的方法,其特征在于:步骤S1-1和S1-2的操作顺序可调换。

4.根据权利要求2所述的一种利用RX DQS GAT识别DDR位宽的方法,其特征在于:DQS_gat信号需在gat沿区间从低电平跳转到高电平。

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