[发明专利]一种利用RX DQS GAT识别DDR位宽的方法在审
申请号: | 202310463642.4 | 申请日: | 2023-04-26 |
公开(公告)号: | CN116467233A | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 顾江波;周永波;杨阳;田飞 | 申请(专利权)人: | 芯河半导体科技(无锡)有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G06F13/40 |
代理公司: | 无锡权正知识产权代理事务所(普通合伙) 32735 | 代理人: | 王俊峰 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 rx dqs gat 识别 ddr 方法 | ||
本发明涉及数据位宽识别技术领域,尤其涉及一种利用RX DQS GAT识别DDR位宽的方法,首先初始化配置DDR接口时,DDRPHY按照16bit DQ数据位宽进行RX DQS GAT train自适应调节;若DDRPHY接收并识别DRAM颗粒高8bit和低8bit电平跳变信号则DQ数据位宽为16bit;若DDRPHY仅接收DRAM颗粒低8bit电平跳变信号则DQ数据位宽为8bit。本发明可以普适性的实现DDR类协议接口DQ数据位宽的自动化识别,原理简单,实现方便。
技术领域
本发明涉及数据位宽识别技术领域,尤其涉及一种利用RX DQS GAT识别DDR位宽的方法。
背景技术
DDR是目前最常见的内存接口,绝大多数芯片都需要用到内存,尤其是SOC芯片。SOC芯片内部通常需要集成一个DDRPHY(数模混电路模块),将来自内部业务上游访问DRAM颗粒的数字信号转化为高速模拟信号与SOC芯片外部PCBA(集成电子元器件的印刷电路板)上的DRAM颗粒存取数据。DDR作为世界最通用的技术协议家族之一,经过几十年的发展,从低速到高速依次发展出DDR1/DDR2/DDR3/DDR4/DDR5,以及其他衍生类LPDDR/GDDR/HBM/等协议。
DDR接口总体分为两类信号——CA信号传递命令/地址,DQ/DM/DQS(8bit数据DQ,对应1bit掩码DM,以及1bit采样DQS)等信号存取数据,如图3。CA信号中ADDR地址线位宽决定了芯片最大可寻址范围;可用DQ信号的位宽决定整个芯片DDR数据总线位宽。DRAM颗粒按照DQ位宽区分,有三种位宽规格——X4,X8,X16,假设DDR接口总线设计最大支持16bit位宽,如果要使用全部DDR接口位宽的话,可以外接两颗X8的DRAM颗粒(如图3);如果仅要使用一半的DDR接口位宽(8bit)的话,可以仅外接一颗X8的DRAM颗粒(如图4),这个时候PCBA(带电子元器件的印刷电路板)上SOC芯片侧DDR接口另一半DQS/DQ(8bit)会外接固定电平到电源或者地。面对不同的DDR接口位宽应用场景,SOC芯片需要在上电train(自适应调节DDR接口高速信号的delay,以正确发送与接收)DDR接口前就识别出来可用的DDR接口位宽,并根据不同DDR接口位宽应用场景正确的初始化DDR系统,使其正常工作。
现有技术的缺陷和不足:
电子产品研发进入PCBA阶段(集成电子元器件的印刷电路板),其DDR接口位宽已经固定,所以目前SOC芯片识别可用的DDR接口位宽,主要有下面两种方案——1是针对该PCBA产品型号专门出一个软件配置版本支持该特定DDR接口位宽以及其它产品特性;2是在设计PCBA时,考虑适配不同应用场景,在上电flash(特定存储,掉电可保存)启动信息中标注区分不同的产品特性,SOC上电一开始会读取flash中的启动信息,从而识别DDR接口位宽,正确初始化DDR系统。但是上述方案不能做到自动化适配,增加了SOC芯片在二次开发应用过程中的使用门槛与成本。
发明内容
本发明提供了一种利用RX DQS GAT识别DDR位宽的方法法,通过软硬件自动识别DDR接口可使用数据DQ位宽,降低了开发成本。
为了实现本发明的目的,所采用的技术方案是,一种利用RX DQS GAT识别DDR位宽的方法,方法包括如下步骤:
S1、初始化配置DDR接口时,DDRPHY按照16bit DQ数据位宽进行RX DQS GAT train自适应调节;
S2、PCBA的DRAM颗粒接收到DDRPHY发送的信号后,反馈电平跳变信号至DDRPHY;
S3、若DDRPHY接收并识别DRAM颗粒高8bit和低8bit电平跳变信号则DQ位宽为16bit;若DDRPHY仅接收DRAM颗粒低8bit电平跳变信号则DQ位宽为8bit;
RX DQS GAT train自适应调节的具体步骤包括:
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