[发明专利]闪存器件的制造方法

说明书

本发明提供了一种闪存器件的制造方法，在衬底上依次形成浮栅材料层、擦除栅材料层和硬掩模层；通过第一光刻及刻蚀工艺在硬掩模层和擦除栅材料层内形成暴露浮栅材料层的第一开口；在所述第一开口内填充第一侧墙材料层；通过第二光刻及刻蚀工艺在第一侧墙材料层和浮栅材料层内形成暴露衬底的第二开口，剩余的第一侧墙材料层形成第一侧墙；在所述第二开口内形成源线；通过第三光刻及刻蚀工艺去除部分所述硬掩模层及其下方的擦除栅材料层及浮栅材料层，以在所述源线两侧形成浮栅及擦除栅。本发明通过多次光刻及刻蚀工艺分别形成第一开口、第二开口以及浮栅和擦除栅的形貌，简化了闪存器件的工艺步骤，降低了闪存器件的整体高度。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种闪存器件的制造方法。

背景技术

随着科技的发展，数据存储介质应用由一些传统的非易失存储器转向闪存型存储器，以闪存为主要存储介质的大容量固态存储设备已经成为当今数据存储的主流方案之一。闪存器件以其低成本、低功耗、存取速度快等性能优势，已经在存储器领域占据越来越重要的地位。

现有的闪存器件通常采用自对准(Self-aligned)方式形成，且由于制备过程中需要形成多步侧墙，因此，最终形成的闪存单元的高度较高，不方便与高阶节点(例如28nm或40nm)逻辑工艺集成。此外，在所述闪存器件的制造过程中，多步侧墙的沉积及刻蚀工艺导致所述闪存器件的工艺程序复杂度增加，降低了生产效率。

鉴于此，需要一种方法降低闪存器件的整体高度，简化闪存器件的工艺步骤。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存器件的制造方法，降低了闪存器件的整体高度，简化了闪存器件的工艺步骤。

为了达到上述目的，本发明提供了一种闪存器件的制造方法，包括：

提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅材料层、擦除栅材料层和硬掩模层；

进行第一光刻及刻蚀工艺，在所述硬掩模层和所述擦除栅材料层内形成暴露所述浮栅材料层的第一开口；

在所述第一开口内填充第一侧墙材料层；

进行第二光刻及刻蚀工艺，在所述第一侧墙材料层和所述浮栅材料层内形成暴露所述衬底的第二开口，剩余的第一侧墙材料层形成第一侧墙；

在所述第二开口内形成源线；以及，

进行第三光刻及刻蚀工艺，去除部分所述硬掩模层及其下方的擦除栅材料层及浮栅材料层，以在所述源线两侧形成浮栅及擦除栅。

可选的，在形成所述浮栅和所述擦除栅之后，还包括：

在所述浮栅和所述擦除栅的远离所述源线的侧壁上形成第二侧墙；

在所述第二侧墙的远离所述浮栅的一侧形成字线，并在所述字线的侧壁上形成第三侧墙。

可选的，在进行所述第二光刻及刻蚀工艺之后，形成所述源线之前，还包括：

在所述第二开口暴露的衬底内形成源区；

在所述第二开口的侧壁和底部形成源线介质层。

可选的，在形成所述第三侧墙之后，还包括：

在所述第三侧墙的远离所述字线一侧的衬底内形成漏区。

可选的，采用离子注入工艺分别形成所述源区和所述漏区。

可选的，所述衬底和所述浮栅材料层之间还形成有浮栅介质层，所述浮栅材料层和所述擦除栅材料层之间还形成有隧穿介质层。

可选的，所述浮栅介质层和所述隧穿介质层为氧化硅层、氮化硅层或其组合而成的叠层结构。