[发明专利]一种高可靠性引线框架及其制备方法

权利要求书

1.一种高可靠性引线框架的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：对铜片基体依次进行电解除油、酸洗、等离子清洗，得到预处理铜基引线框架；

步骤2：将预处理铜基引线框架置于锡镀覆液中，脉冲电沉积锡层，得到引线框架A；

步骤3：将引线框架A先置于镍镀覆液中，直流电沉积镍层；转移至镍钯镀覆液中，梯度直流电沉积：控制电流密度为从2～2.5A/dm²梯度降至1A/dm²，0.5A_.dm^-2/5min，温度从55～60℃梯度降至45℃，5℃/5min，每梯度段直流电沉积4～5分钟，去离子水冲洗，吹干，得到引线框架B；

步骤4：将引线框架B置于银镀覆液中，脉冲电沉积银层；得到高可靠性引线框架。

2.根据权利要求1所述的一种高可靠性引线框架的制备方法，其特征在于：步骤1中，电解除油步骤中，除油溶液包括以下组分：140～145g/L的氯化钠、35～40g/L的氢氧化钠、4～6g/L硅酸钠、2～3g/L的硫代硫酸钠；工艺参数为：控制电流密度为0.5～1A/dm²，温度为60～70℃，电解除油20～30分钟；酸洗步骤中，酸溶液包括以下组分：6～10wt％的硫酸、2～4wt％的抗坏血酸，其余为水；工艺参数为：酸洗10～20秒；等离子清洗步骤中，气氛为Ar-H₂，清洗时间为100～150秒。

3.根据权利要求1所述的一种高可靠性引线框架的制备方法，其特征在于：步骤2中，锡镀覆液包括以下组分：150～180mL/L的甲基磺酸锡、12～16g/L的氯化锡、2～4g/L的氯化铟、140～160mL/L的甲基磺酸、75～85g/L的柠檬酸钠、0.2～0.3g/L的明胶、0.4～0.5g/L的6-脒基-2-萘酚甲基磺酸、0.1～0.3g/L的β-萘酚聚氧乙烯醚。

4.根据权利要求3所述的一种高可靠性引线框架的制备方法，其特征在于：步骤2中，锡层的脉冲电沉积工艺参数为：控制电流密度为1～1.5A/dm²，脉冲电流频率为80～150Hz，占空比为50～60％，温度为30～40℃，电沉积4～8s。

5.根据权利要求1所述的一种高可靠性引线框架的制备方法，其特征在于：步骤3中，镍镀覆液包括以下组分：20～35g/L的氯化镍、4～7g/L的氯化铟、10～15g/L的硫酸铵、5～7g/L的六氟硅酸铵、15～20g/L的甲叉二膦酸、55～60g/L的硼酸、0.5～1g/L的6-脒基-2-萘酚甲基磺酸；

镍钯镀覆液包括以下组分：45～55g/L二氯二氨基钯、15～20g/L的氯化镍、7～10g/L氯化铟、10～15g/L的硫酸铵、5～7g/L的六氟硅酸铵、10～20g/L的甲叉二膦酸、55～65g/L的硼酸、0.5～1g/L的6-脒基-2-萘酚甲基磺酸、0.3～0.5g/L的无机添加剂。

6.根据权利要求5所述的一种高可靠性引线框架的制备方法，其特征在于：步骤3中，镍层的直流电沉积工艺参数为：控制电流密度为2～2.5A/dm²，温度为55～60℃，直流电沉积5～10分钟。

7.根据权利要求1所述的一种高可靠性引线框架的制备方法，其特征在于：步骤4中，银镀覆液包括以下组分：28～32g/L的硝酸银、35～45g/L的焦硫酸钾、75～85g/L的碳酸钾、110～125g/L的3-羟甲基-5,5-二甲基乙内酰脲、0.5～0.6g/L的乙二胺四乙酸钠、1.5～3g/L的3-巯基-1-丙磺酸钠、0.3～0.5g/L的无机添加剂。

8.根据权利要求7所述的一种高可靠性引线框架的制备方法，其特征在于：银层的脉冲电沉积工艺参数为：控制电流密度为0.5～1A/dm²，脉冲电流频率为100～150Hz，占空比为50～60％，温度为20～30℃，电沉积5～10秒，去离子水冲洗，吹干，得到镀银层，得到高可靠性引线框架。