[发明专利]异质结双极晶体管器件及其形成方法

权利要求书

1.一种异质结双极晶体管器件，其特征在于，包括：

集电基底层；

位于所述集电基底层表面的凸起结构，所述凸起结构包括集电层、位于所述集电层表面的基层和位于所述基层表面的发射层，所述集电层、所述基层和所述发射层沿垂直于所述集电基底层表面的第一方向排布；

所述凸起结构还包括第一失效区、第二失效区和位于所述第一失效区和所述第二失效区之间的有效区，所述第一失效区、所述有效区和所述第二失效区沿第二方向排布，所述第二方向平行于所述集电基底层表面，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；

其中，所述凸起结构的底部在沿所述第二方向上的尺寸大于所述凸起结构的顶部在沿所述第二方向上的尺寸，所述第一失效区的底部在沿所述第二方向上的尺寸大于所述第一失效区的顶部在沿所述第二方向上的尺寸，所述第二失效区的底部在沿所述第二方向上的尺寸大于所述第二失效区的顶部在沿所述第二方向上的尺寸；

其中，所述集电层包括沿所述第二方向排布的第一集电层失效部、集电层有效部和第二集电层失效部，所述第一集电层失效部和所述第二集电层失效部位于所述集电层有效部两侧；

其中，所述基层包括基层有效部，所述发射层包括发射层有效部，所述有效区包括所述集电层有效部、所述基层有效部及所述发射层有效部，所述第一失效区至少包括所述第一集电层失效部，所述第二失效区至少包括所述第二集电层失效部。

2.如权利要求1所述的异质结双极晶体管器件，其特征在于，所述第一集电层失效部内具有注入的粒子；所述第二集电层失效部内具有注入的粒子。

3.如权利要求1所述的异质结双极晶体管器件，其特征在于，所述第一失效区和所述有效区之间的界面与所述集电基底层表面的夹角范围为80度至90度；所述第二失效区和所述有效区之间的界面与所述集电基底层表面的夹角范围为80度至90度。

4.如权利要求1所述的异质结双极晶体管器件，其特征在于，所述基层还包括分别位于所述基层有效部两侧的第一基层失效部和第二基层失效部，所述第一基层失效部、所述基层有效部和所述第二基层失效部沿所述第二方向排布，所述第一失效区还包括所述第一基层失效部，所述第二失效区还包括所述第二基层失效部。

5.如权利要求4所述的异质结双极晶体管器件，其特征在于，所述第一基层失效部内具有注入的粒子；所述第二基层失效部内具有注入的粒子。

6.如权利要求4所述的异质结双极晶体管器件，其特征在于，所述发射层还包括分别位于所述发射层有效部两侧的第一发射层失效部和第二发射层失效部，所述第一发射层失效部、所述发射层有效部和所述第二发射层失效部沿所述第二方向排布，所述第一失效区还包括所述第一发射层失效部，所述第二失效区还包括所述第二发射层失效部。

7.如权利要求6所述的异质结双极晶体管器件，其特征在于，所述第一发射层失效部内具有注入的粒子；所述第二发射层失效部内具有注入的粒子。

8.如权利要求1所述的异质结双极晶体管器件，其特征在于，还包括：集电极，所述集电极嵌入所述集电基底层，且所述集电极与所述凸起结构分立放置；基极，所述基极贯穿所述发射层且嵌入所述基层，所述发射层表面暴露出所述基极表面；发射极，所述发射极位于部分所述发射层表面，且所述发射极与所述基极分立放置。

9.如权利要求1所述的异质结双极晶体管器件，其特征在于，还包括：位于所述发射层和所述发射极之间的发射过渡层；所述发射过渡层的材料包括砷化镓或砷化铟镓。