[发明专利]异质结双极晶体管器件及其形成方法

说明书

一种异质结双极晶体管器件及其形成方法，其中结构包括：凸起结构还包括第一失效区、第二失效区和位于第一失效区和第二失效区之间的有效区，第一失效区、有效区和第二失效区沿第二方向排布，第二方向平行于集电基底层表面，第一方向与第二方向相互垂直，其中，凸起结构的底部在沿第二方向上的尺寸大于凸起结构的顶部在沿第二方向上的尺寸，第一失效区的底部在沿第二方向上的尺寸大于第一失效区的顶部在沿第二方向上的尺寸，第二失效区的底部在沿第二方向上的尺寸大于第二失效区的顶部在沿第二方向上的尺寸，有利于减小因势垒区引发的寄生电容，进而提高器件的射频性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种异质结双极晶体管器件及其形成方法。

背景技术

无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，功率放大器包括双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)功率放大器、异质结双极型晶体管(Hetero-junction Bipolar Transistor，HBT)功率放大器、赝配高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor，PHEMT)功率放大器等。

随着无线通信技术的发展，所使用的频段越来越多，更多的频段意味着更复杂的电路设计。然而，在现代工艺水平下无法制作出理想二极管，生产时不可避免的产生了电容，而且寄生电容是限制电子元件和电路的工作频率和带宽的因素。

因此，现有的异质结双极型晶体管技术有待进一步改善。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种异质结双极晶体管器件及其形成方法，以提高形成的异质结双极晶体管器件的性能。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种异质结双极晶体管器件，包括：集电基底层；位于所述集电基底层表面的凸起结构，所述凸起结构包括集电层、位于所述集电层表面的基层和位于所述基层表面的发射层，所述集电层、所述基层和所述发射层沿垂直于所述集电基底层表面的第一方向排布；所述凸起结构还包括第一失效区、第二失效区和位于所述第一失效区和所述第二失效区之间的有效区，所述第一失效区、所述有效区和所述第二失效区沿第二方向排布，所述第二方向平行于所述集电基底层表面，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；其中，所述凸起结构的底部在沿所述第二方向上的尺寸大于所述凸起结构的顶部在沿所述第二方向上的尺寸，所述第一失效区的底部在沿所述第二方向上的尺寸大于所述第一失效区的顶部在沿所述第二方向上的尺寸，所述第二失效区的底部在沿所述第二方向上的尺寸大于所述第二失效区的顶部在沿所述第二方向上的尺寸；其中，所述集电层包括沿所述第二方向排布的第一集电层失效部、集电层有效部和第二集电层失效部，所述第一集电层失效部和所述第二集电层失效部位于所述集电层有效部两侧；其中，所述基层包括基层有效部，所述发射层包括发射层有效部，所述有效区包括所述集电层有效部、所述基层有效部及所述发射层有效部，所述第一失效区至少包括所述第一集电层失效部，所述第二失效区至少包括所述第二集电层失效部。

可选的，所述第一集电层失效部内具有注入的粒子；所述第二集电层失效部内具有注入的粒子。

可选的，所述第一失效区和所述有效区之间的界面与所述集电基底层表面的夹角范围为80度至90度；所述第二失效区和所述有效区之间的界面与所述集电基底层表面的夹角范围为80度至90度。

可选的，所述基层还包括分别位于所述基层有效部两侧的第一基层失效部和第二基层失效部，所述第一基层失效部、所述基层有效部和所述第二基层失效部沿所述第二方向排布，所述第一失效区还包括所述第一基层失效部，所述第二失效区还包括所述第二基层失效部。

可选的，所述第一基层失效部内具有注入的粒子；所述第二基层失效部内具有注入的粒子。