[发明专利]一种在系统可编程PD芯片及其编程方法

权利要求书

1.一种在系统可编程PD芯片，其特征在于，包括编程管理模块、编程高压控制电路、存储单元阵列、存储器读写接口电路、PD收发器、PD控制器及降压电路，所述编程管理模块与编程高压控制电路、存储器读写接口电路、PD控制器连接，所述编程高压控制电路的高压输入端及降压电路的输入端均连接外部电源引脚，编程高压控制电路的高压输出端连接存储单元阵列的编程电压端，外部电源引脚用于在正常工作时接收来自PD供电端的正常电压，在芯片需要编程时接收来自PD供电端的高电压，编程高压控制电路为控制编程高压的开关，当需要编程时开启高压传输，为存储单元阵列提供编程高压，PD控制器连接PD收发器，所述存储器读写接口电路连接存储单元阵列，所述降压电路的输出端连接编程管理模块、存储器读写接口电路、PD控制器及PD收发器的工作电源端，所述编程管理模块用于与外部PD供电端交互信息以及控制编程高压控制电路开启编程高压传输，存储单元阵列中的存储单元为OTP一次性可编程存储单元、MTP多次可编程存储单元、不包含升压电荷泵的FLASH中的一种。

2.根据权利要求1所述的在系统可编程PD芯片，其特征在于，所述编程管理模块包括MCU、微处理器或数字逻辑电路中的一种或多种。

3.根据权利要求1或2所述的在系统可编程PD芯片，其特征在于，所述存储单元阵列中的存储单元是OTP一次性可编程存储单元，所述OTP一次性可编程存储单元包括支持在系统编程区域，所述支持在系统编程区域包括参数编程区。

4.根据权利要求3所述的在系统可编程PD芯片，其特征在于，所述OTP一次性可编程存储单元还包括禁止在系统编程区域，所述禁止在系统编程区域用于存储程序代码。

5.根据权利要求1或2所述的在系统可编程PD芯片，其特征在于，所述存储单元阵列中的存储单元是MTP多次可编程存储单元。

6.根据权利要求1或2所述的在系统可编程PD芯片，其特征在于，所述降压电路为低压差电压稳压模块。

7.根据权利要求1或2所述的在系统可编程PD芯片，其特征在于，还包括时钟模块，所述时钟模块连接编程管理模块、PD控制器，所述时钟模块的频率校准值存储于存储单元阵列中。

8.一种如权利要求1-7任一所述的在系统可编程PD芯片的编程方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、PD芯片在PD供电端提供的正常电压下工作；

步骤二、当需要对PD芯片进行在系统编程时，PD芯片与PD供电端交互信息；

步骤三、PD芯片接收PD供电端提供的高电压，PD芯片内部开启编程高压控制电路，使高电压传输至存储单元阵列，PD芯片编程管理模块对存储单元阵列进行编程操作；降压电路在高电压供电期间为编程管理模块、PD控制器提供正常电压；

步骤四、编程操作完成后，PD芯片接收PD供电端提供的正常电压。

9.根据权利要求8所述的在系统可编程PD芯片的编程方法，其特征在于，步骤二中，PD芯片与PD供电端交互信息包括以下两种方式中的一种：

（a1）PD芯片向PD供电端发起调整到高电压的请求，PD供电端确认；

（a2）PD芯片接收PD供电端发起的调压请求、编程请求中的至少一种，PD芯片进行确认。

10.根据权利要求8或9所述的在系统可编程PD芯片的编程方法，其特征在于，步骤三中，编程步骤包括：

（b1）设置待编程的地址和数据；

（b2）启动编程操作；编程定时器开启定时；MCU暂停运行；

（b3）编程定时器结束定时，编程结束，MCU恢复运行。