[发明专利]基于异类叠层存储层的电荷存储器件的制备方法

权利要求书

1.基于异类叠层存储层的电荷存储器件的制备方法，其特征在于具体步骤如下：

(a)利用固态烧结的方法制备SiO₂、Hf_xZr_1-xO₂、La_yAl_1-yO₃三种陶瓷靶材，其中摩尔含量x取值范围在0.4-0.6范围内选择，摩尔含量y在0-0.3范围内选择，然后将三种陶瓷靶材和金属铂(Pt)靶材固定在脉冲激光沉积系统腔内的靶材底盘上；

(b)将硅衬底置于无水乙醇和丙酮的混合溶液中，超声清洗2分钟，去除衬底表面杂质，然后将衬底置于氢氟酸稀溶液中，去除硅衬底表面的氧化物，然后将硅衬底放置在脉冲激光沉积系统腔内的衬底台上，沉积腔内压强在1×10^-3Pa-1×10^-4Pa范围内选择；

(c)将准分子激光器的激光对准SiO₂靶材，在硅衬底表面沉积一层薄膜作为存储器件的隧穿层，厚度在1-3nm范围内选择；

(d)首先将准分子激光器的激光对准Hf_xZr_1-xO₂靶材，在SiO₂隧穿层表面沉积一层Hf_xZr_1-xO₂薄膜，厚度在3-5nm范围内选择，然后将准分子激光器的激光对准La_yAl_1-yO₃靶材，在Hf_xZr_1-xO₂薄膜表面沉积一层La_yAl_1-yO₃薄膜，厚度在3-5nm范围内选择，接着，将准分子激光器的激光再次对准Hf_xZr_1-xO₂靶材，在La_yAl_1-yO₃薄膜表面沉积一层Hf_xZr_1-xO₂薄膜，厚度在3-5nm范围内选择，以上沉积的三层Hf_xZr_1-xO₂/La_yAl_1-yO/Hf_xZr_1-xO₂异类叠层薄膜作为电荷存储器件的存储层；

(e)将准分子激光器的激光对准SiO₂靶材，在存储层表面沉积一层SiO₂薄膜作为阻挡层，厚度在10-15nm范围内选择，紧接着，将准分子激光器的激光对准金属Pt靶材，在阻挡层表面沉积一层金属Pt作为电极，厚度在50-100nm范围内选择。

2.如权利要求1所述的基于异类叠层存储层的电荷存储器件的制备方法，其特征在于La_yAl_1-yO的禁带宽度不等于Hf_xZr_1-xO₂的禁带宽度。

3.如权利要求1-2所述的基于异类叠层存储层的电荷存储器件的制备方法在信息存储中的应用。