[发明专利]一种纵列全彩显示Micro-LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种纵列全彩显示Micro-LED芯片，其特征在于，包括：红光芯片层、绿光芯片层、蓝光芯片层、滤光层、蓝宝石衬底；

所述红光芯片层、绿光芯片层、蓝光芯片层自下而上纵向堆叠组装；

所述滤光层设置在所述红光芯片层和绿光芯片层之间；

所述蓝宝石衬底为双面抛光的衬底，并在蓝宝石衬底两面分别外延生长绿光芯片层和蓝光芯片层。

2.根据权利要求1所述的一种纵列全彩显示Micro-LED芯片，其特征在于，所述红光芯片层由红光N型半导体层、红光发光层和红光P型半导体层组成；所述绿光芯片层由绿光P型半导体层、绿光发光层和绿光N型半导体层组成；所述蓝光芯片层由蓝光N型半导体层、蓝光发光层和蓝光P型半导体层组成。

3.根据权利要求1所述的一种纵列全彩显示Micro-LED芯片，其特征在于，所述滤光层由28对-32对SiO₂/TiO₂交替堆叠组成。

4.根据权利要求1所述的一种纵列全彩显示Micro-LED芯片，其特征在于，所述滤光层由30对SiO₂/TiO₂交替堆叠组成。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种纵列全彩显示Micro-LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供一双面抛光的蓝宝石衬底，在一面依次外延生长蓝光N型半导体层、蓝光发光层、蓝光P型半导体层；

S2、在蓝宝石衬底另一面依次外延生长绿光N型半导体层、绿光发光层、绿光P型半导体层；

S3、通过ICP干法蚀刻对蓝光P型半导体层进行蚀刻，露出蓝光N型半导体层；

S4、制作蓝光P电极和蓝光N电极；

S5、通过ICP干法蚀刻对绿光P型半导体层进行蚀刻，露出绿光N型半导体层；

S6、制作绿光P电极和绿光N电极；

S7、提供一GaAs衬底，依次外延生长红光N型半导体层、红光发光层、红光P型半导体层；

S8、在红光P型半导体表面沉积滤光层；

S9、通过环氧树脂将红光芯片和蓝绿光芯片键合在一起；

S10、通过湿法腐蚀的方法去除GaAs衬底；

S11、通过ICP干法蚀刻对红光N型半导体层进行蚀刻，露出红光P型半导体层；

S12、制作红光P电极和红光N电极，即为全彩显示Micro-LED芯片。

6.根据权利要求5所述的一种纵列全彩显示Micro-LED芯片的制作方法，其特征在于，在步骤S2之前，先在蓝光P型半导体表面沉积SiO₂。

7.根据权利要求5所述的一种纵列全彩显示Micro-LED芯片的制作方法，其特征在于，步骤S10中，湿法腐蚀所用的溶液为氨水、双氧水、水体积比为1：5：5的混合溶液。