[实用新型]一种雾化器及PECVD镀膜装置有效
申请号: | 202320284357.1 | 申请日: | 2023-02-07 |
公开(公告)号: | CN219490153U | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 安祥乐;云洋;苏建华;李顺 | 申请(专利权)人: | 深圳奥拦科技有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/511;C23C16/505 |
代理公司: | 北京市天元律师事务所 16010 | 代理人: | 李婧 |
地址: | 518101 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 雾化器 pecvd 镀膜 装置 | ||
本实用新型适用于雾化器技术领域,提供了一种雾化器及PECVD镀膜装置,雾化器包括:内设置有腔体的阀体,阀体设有与腔体连通的进液口;盖设于阀体并封装腔体的盖板;与阀体连接的连接座,连接座设有与腔体连通的出雾口;可拆卸固定于腔体内的多个挡板,相邻两个挡板相对间隔形成一连通空间,各连通空间依次连通形成相应雾化路径的雾化通道,雾化通道连通进液口与出雾口;填充于雾化通道内的导热多孔填充物;设置于腔体内的加热装置。本实用新型提供的一种雾化器可以根据需要灵活拆卸挡板或增加挡板来改变雾化通道的雾化路径,方便雾化路径的调整,且雾化路径的调整实现成本低。
技术领域
本实用新型涉及雾化器技术领域,具体涉及一种雾化器及PECVD镀膜装置。
背景技术
等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)镀膜装置通过微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离,在局部形成等离子体,利用等离子体化学活性很强,很容易发生反应的原理,从而在待镀工件上沉积出所需要的薄膜。
现有技术中,PECVD镀膜装置在镀膜过程中,需要利用雾化器不断将镀膜材料进行加热雾化,加热雾化后的镀膜材料进入镀膜腔体内,利用雾化的镀膜材料在镀膜腔体内的待镀工件上沉积镀膜,以达到镀膜的最佳条件。但是,由于现有雾化器的雾化路径由一体式的雾化管路组成,通过对整个雾化管路加热,实现雾化管路内的镀膜材料雾化;由于一体式雾化管路的雾化路径通常都是固定的,雾化效果具有很大的局限性,一旦雾化管路加工成型后,雾化路径不可调整,更换不同镀膜材料的雾化路径必须重新制作雾化管路,甚至要更换整套雾化器,不便雾化路径的调整,且雾化路径调整实现成本高。
实用新型内容
本实用新型提供一种雾化器,旨在解决现有技术的雾化器存在不便调整雾化路径,且雾化路径调整实现成本高的问题。
本实用新型是这样实现的,提供一种雾化器,包括:
内设置有腔体的阀体,所述阀体设有与所述腔体连通的进液口;
盖设于所述阀体并封装所述腔体的盖板;
与所述阀体连接的连接座,所述连接座设有与所述腔体连通的出雾口;
可拆卸固定于所述腔体内的多个挡板,相邻两个所述挡板相对间隔形成一连通空间,各所述连通空间依次连通形成相应雾化路径的雾化通道,所述雾化通道连通所述进液口与所述出雾口;
填充于所述雾化通道内的导热多孔填充物;以及
设置于所述腔体内的加热装置。
优选的,还包括用于与进液管路连接的截止阀,所述截止阀的进口与所述进液管路连接,所述截止阀的出口与所述进液口连接。
优选的,所述导热多孔填充物为泡沫铜或泡沫铝。
优选的,还包括:
用于密封所述腔体的硅胶垫,所述硅胶垫设置于所述盖板的朝向所述腔体的一面并覆盖所述腔体。
优选的,多个所述挡板依次等间距平行设置于所述腔体内。
优选的,多个所述挡板通过螺钉固定于所述腔体内。
优选的,还包括:
固定于所述阀体一侧面的支撑座,所述截止阀固定于所述支撑座上并通过所述支撑座与所述进液口连通。
优选的,还包括第一U形架及第二U形架,所述第二U形架固定于支撑座上,所述第一U形架与所述第二U形架可拆卸连接,所述截止阀固持于所述第一U形架与所述第二U形架之间。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的