[发明专利]一种制作多层玻璃陶瓷电路的方法

权利要求书

1、一种制作玻璃陶瓷电路基片的工艺方法，其特征在于包括下列工艺步骤：

制备陶瓷颗粒22；

制备在500℃～1000℃的范围内可熔融的玻璃颗粒24；

用包有熔融状态的玻璃基质的陶瓷颗粒形成粉浆10；

以低于15磅/吋的压力将粉浆压实，以形成第一玻璃陶瓷基片72；

冷却上述熔融-固体混合料，使熔融玻璃固化。

2、如权利要求1的工艺方法，其特征在于包括下列步骤：由所述陶瓷颗粒22和玻璃颗粒24的混合料形成所述粉浆10，其中玻璃颗粒为玻璃和陶瓷混合料体积的10%～30%。

3、如权利要求2的工艺方法，其特征在于：所述陶瓷颗粒选自由Al₂O₃、ZrO₂、TiO₂和ZrSiO₄构成的这组材料。

4、如权利要求3的工艺方法，其特征在于：玻璃颗粒选自由硅酸盐、硼硅酸盐、磷酸盐和硼硅酸锌玻璃构成的这组材料。

5、如权利要求4的工艺方法，其特征在于：选择所述玻璃颗粒与陶瓷颗粒的比，使其热膨胀系数为40×10^-7～80×10^-7吋/吋/度。

6、如权利要求5的工艺方法，其特征在于：在所述压实步骤中还包括在所述玻璃陶瓷基片上形成通孔的工艺步骤。

7、一种制作多层玻璃陶瓷电路的工艺方法，其特征在于包括下列工艺步骤：

制备陶瓷颗粒22;

制备在500℃～1000℃的范围内可熔融的玻璃颗粒24;

用包有熔融状态的玻璃基质的陶瓷颗粒形成粉浆10;

以低于15磅/吋的压力将粉浆压实，以形成第一玻璃陶瓷基片72;

在所述第一玻璃陶瓷基片72中至少形成一个通孔74;

冷却上述熔融-固体混合料，使熔融玻璃固化;

在所述第一玻璃陶瓷基片的至少一个通孔74中，放置第一导电材料;

在第一玻璃陶瓷基片72的至少一个表面88上，形成导电电路图形层82;

通过与形成第一玻璃陶瓷基片72基本上相同的工艺方法，制备第二玻璃陶瓷基片86;

在上述第二玻璃陶瓷基片中至少形成一个通孔92;

在第二基片上至少一个通孔中放置第二导电材料;

在第一玻璃陶瓷基片紧贴着第二玻璃陶瓷基片的一个表面的表面88上放置第一电路图形层;

加热第一和第二玻璃陶瓷基片，以使每一基片上的玻璃足够软化、与相邻基片中的玻璃粘合，使第一和第二基片的通孔中的导电材料与第一电路图形层相接触以便形成多层电路。

8、如权利要求7的工艺方法，其特征在于还包括下列步骤：

把第一和第二玻璃陶瓷基片压在一起，以增强每一基片的软化玻璃之间的粘结。

9、如权利要求8的工艺方法，其特征在于：

第一和第二导电材料选自由钯、铂、金、银、铜和它们的合金构成的一组材料。

10、如权利要求9的工艺方法，其特征在于进一步包括下列步骤：

用与形成所述第一玻璃陶瓷基片基本相同的工艺方法制备至少一个第三玻璃陶瓷基片100;

在所述第三玻璃陶瓷基片上至少形成一个通孔102;

在第三基片的至少一个通孔中放置一个第三导电材料;

在第二玻璃陶瓷基片的表面上放置第二电路层;

加热第一、第二及第三玻璃陶瓷基片，使每一基片的玻璃足够软化，以便与相邻基片的玻璃相粘合，並使第三基片上的通孔中的导电材料与第二电路图形层相接触。

11、如权利要求10的工艺方法，其特征在于：所述第一导电电路图形层由一薄片构成。

12、如权利要求11的工艺方法，其特征在于：制作所述薄片的材料选自由脱氧铜合金和无氧铜合金构成的这组材料。

13、如权利要求12的工艺方法，其特征在于：从具有合金添加物的材料中选择构成铜合金薄片的材料，所述合金添加物占合金总量的10%以下（其余部分为铜）。

14、如权利要求13的工艺方法，其特征在于包括下列步骤：

刻蚀所述薄片以形成所述第一电路图形层。