[其他]半导体器件的制造方法和系统无效
| 申请号： | 87104657 | 申请日： | 1987-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN87104657A | 公开（公告）日： | 1987-12-16 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/365 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京,杜有文 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 系统 | ||
1、一半导体制造系统包括：
一个具有一共振空间和一反应空间的真空室；
用于把所述共振空间置于一磁场的磁场感应装置；
用于输入微波到所述共振空间的一微波源；
用于把生产气体引入到所述真空室的装置；以及
用于抽空所述真空室的装置；
所述的系统其特征在于，所述的抽空装置是由一个真空泵和涡轮分子泵组成。
2、根据权利要求1所述的系统，其特征在于所述的引入气体装置是由输入非反应气体到所述共振空间的第一引入系统和输入反应气体到所述反应空间的第二引入系统组成。
3、用化学汽相反应制造半导体器件的方法包括的步骤有;
用抽空装置抽空真空室;
将一生产气体引入到所述真空室;
将所述生产气体加到磁场;
施加一微波到所述生产气体，以激励所述的生产气体和在磁场存在的情况下给带电粒子供能;以及
借助于赋能粒子的能量实现硅和碳的化学汽相反应，随后将SiXC1-X（0＜X＜1）半导体层淀积在放置所述的真空室中的一衬底上;
所述方法其特征在于：所述的化学汽相反应是在一负压情况下实施的，该负压由一真空泵和一涡轮分子泵保持在小于10-2到10-5托。
4、根据权利要求3的方法，其特征在于所述的反应气体是一硅烷和甲基硅烷的混合物。
5、根据权利要求4的方法，其特征在于所述的甲基硅烷是二甲基硅烷。
6、根据权利要求5的方法，其特征在于用引入作为一掺杂气体的硼化合物气体以将所述的碳化硅半导体形成为P型半导体。
7、根据权利要求6的方法，其特征在于所述的硼化合物气体是用硅烷气体稀释的乙硼烷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
