[发明专利]半导电陶瓷组合物

权利要求书

1、一种半导电陶瓷组合物，其特征在于包括按SrO计为0.05至0.95mol的Sr，按P_bO计为0.05至0.85mol的Pb，按TiO₂计为0.90至2.0mol的Ti，按R的氧化物计为0.001至0.3mol的R，其中R是选自下述稀土元素、、Bi、V、W、Ta、Nb和Sb中的至少一种元素，稀土元素的量(除Ce、Bi和Sb外)按1/2(R₂O₃)计，V、Ta和Nb的量按1/2(R₂O₅)计，Ce和W的量分别按RO₂和R₃计，该组合物在氧气氛中进行焙烧。

2、按权利要求1所述半导电陶瓷组合物，其特征在于还包括以0.001至30%（重量）的量加入的SiO₂。

3、按权利要求1所述半导电陶瓷组合物，其特征在于还包括将M加入其中;

所述M是选自下述元素中至少一种元素，所述元素为：

Mn，Cu，Cr，Ni，Fe，Co，Ru，Os，Ge，Hf，P，Sb，V，Mg，Zn，W，Al，Mo，In，Ga，Nb，Ta，Bi，Sc，稀土元素Th，Na，K，Li，B，Ag，Cs和Rb;

所述M中除Al和W之外，均以0.00001至1.2%（重量）的量加入;

Al和W以0.00001至8%（重量）的量加入。

4、按权利要求1所述半导电陶瓷组合物，其特征在于还包括以0.001至30%（重量）的量加入的SiO₂和M;

所述M是选自下述元素中至少一种元素，所述元素为：

Mn，Cu，Cr，Ni，Fe，Co，Ru，Os，Ge，Hf，P，Sb，V，Mg，Zn，W，Al，Mo，In，Ga，Nb，Ta，Bi，Sc，稀土元素Th，Na，K，Li，B，Ag，Cs和Rb;所述M中除Al和W之外，均以0.00001至1.2%（重量）的量加入;

Al和W以0.00001至8%（重量）的量加入。

5、按权利要求1所述半导电陶瓷组合物，其特征在于用BaO和CaO的至少之一种代替0.001至0.3mol的SrO和PbO。

6、按权利要求5所述半导电陶瓷组合物，其特征在于还包括以0.001至30%（重量）的量加入的SiO₂。

7、按权利要求5所述半导电陶瓷组合物，其特征在于还包括M;

所述M是选自下述元素中至少一种元素中至少一种元素，所述元素为：

Mn，Cu，Cr，Ni，Fe，Co，Ru，Os，Ge，Hf，P，Sb，V，Mg，Zn，W，Al，Mo，In，Ga，Nβ，Ta，Bi，Sc，稀土元素Th，Na，K，Li，B，Ag，Cs和Rb;

所述M中除Al和W之外，均以0.00001至1.2%（重量）的量加入;

Al和W以0.00001至8%（重量）的量加入。

8、按权利要求5所述半导电陶瓷组合物，其特征在于还包括以0.001至30%（重量）的量加入的SiO₂和M;

所述M是选自下述元素中至少一种元素，所述元素为：

Mn，Cu，Cr，Ni，Fe，Co，Ru，Os，Ge，Hf，P，Sb，V，Mg，Zn，W，Al，Mo，In，Ga，Nb，Ta，Bi，Sc，稀土元素Th，Na，K，Li，B，Ag，Cs和Rb;

所述M中除Al和W之外，均以0.00001至1.2%（重量）的量加入;

Al和W以0.00001至8%（重量）的量加入。