[发明专利]连续碳化硅纤维的制备方法及装置

权利要求书

1.一种连续碳化硅纤维的制备方法，它由基体上沉积SiC，再在SiC纤维外表面施以碳涂层等步骤组成，其特征在于：

(1)采用射频加热的方式，在反应室的两端分别通入沉积SiC和C的反应气，在反应室的中部出气；

(2)沉积SiC的反应气体原料为CH₃SiCl₃和CH₃SiHCl₂，载流气体为高纯氢气，沉积SiC的温度为1220-1350℃；

(3)SiC纤维外表面碳涂层的C₂H₂流量为0.4-0.5l/min，稀释用H₂流量为0.25-0.4l/min，涂层温度为1350-1450℃。

2.按照权利要求1所述连续碳化硅纤维的制备方法，其特征在于：制备时在加热管的两端通入Ar气来密封反应气体，Ar气流量为0.6-0.8l/min。

3.按照权利要求1，2所述连续碳化硅纤维的制备方法，其特征在于：

CH₃SiCl₃的H₂载流量为1.8-2.0l/min；

CH₃SiHCl₂的H₂载流量为0.25-0.4l/min。

4.一种专门用来制备连续碳化硅纤维的射频加热装置，它由射频发生器、耦合器调节电容，管状反应器组成，其特征在于管状反应器的一端设置了通入C₂H₂气体的入口7，另一端还设置了通入沉积SiC用的氯硅烷加氢气的入口7′，在管状反应器中心与末端之间设置尾气出口8。