[发明专利]一种新型的高分子膜温湿敏元件

权利要求书

1、一种新型的高分子膜温湿敏元件，由金属上电极，高分子膜介质层，金属下电极三层构成。其特征在于金属上电报，高分子膜介质层，金属下电极三层成相同宽度的立体条形结构，其金属上电极是由钛(或镍)6和铝7复合而成，金属下电极为金属4和硅衬底合金化层成复合下电极。其工艺流程为：硅片1清洗烘干→生成SiO₂层2→蒸发下电极金属膜层4，并光刻成条形→与硅衬底合金化成欧姆接触层3，形成复合下电极→涂膜、固化、刻蚀高分子聚酰亚胺酸，形成与金属下电极相同宽度的高分子膜介质层8→依次蒸发上电极金属层钛6和铝7，并光刻成与金属下电极相同宽度的条形复合金属上电极→划片装座封管。

2、一种新型的高分子膜温湿敏元件，由复合金属上电极，高分子膜介质层，复合金属下电极三层构成。其特征在于金属上电极是复合透气电极，它是由网状金属层13和厚度为200～350的薄金膜14复合面成，网状金属条的宽度和位置正好与下电极条之间的高分子膜介质层的宽度和位置对应。金属下电极也是由两种金属复合而成。其工艺流程为：硅片清洗烘干→生长SiO₂层12→依次蒸发、光刻下电极金属层9和10，成为条形复合下电极→涂膜、固化、刻蚀高分子膜介质层，固化的温度为100℃～400℃→用剥离法工艺对金属（铬）网层13加工;再用剥离法工艺制作透气金膜14，形成复合透气上电极→划片装座封管。

3、一种新型的高分子膜温湿敏元件，由复合金属上电极，高分子膜介质层，复合金属下电极三层构成。其特征在于硅片衬底15的底面加工若干个形似倒置的硅杯16，并在与填热解材料腔体22连接处开一小孔18;当热解材料19受热热解形成腔体22后，则藏于腔体22内的透气复合下电极20、21（感湿面）通过小孔18与待测环境连通;其金属下电极是复合透气电极是由厚度为200～400的薄金膜层与网状金属层复合而成，其工艺流程为：硅片15清洗烘干→生长SiO₂层17→光刻、腐蚀SiO₂成填热解材料的腔体22→用硅杯腐蚀工艺在硅片底面加工若干个形似例置的硅杯空腔16，深度为硅厚度的一半→用同样腐蚀工艺在硅杯的底部与填料腔体22连接处开相应的小孔18，直径为15～25μm→清洗硅片并烘干→予腔体22内填热解材料聚α甲基苯乙烯膜层→用剥离法制作金属（铬）网层21;再用剥离法工艺制作厚度为200～400透气金膜20，形成复合透气下电极→涂膜、固化、刻蚀高分子膜介质层23，固化温度为100℃～400℃→用剥离法制作复合电极24和25→涂保护层26→划片装座封管。

4、根据权利要求2、3中所述的工艺流程中，制作金属网层的材料铬，其特征在于还可以是铂，也可以是金。

5、根据权利要求2、3中所述的工艺流程中，制作金属网层的材料铬，其特征在于还可以是金。