[发明专利]用于一种使用电离气体介质的寻址结构的突跳脉冲电路无效
申请号: | 94103266.3 | 申请日: | 1994-03-04 |
公开(公告)号: | CN1109195A | 公开(公告)日: | 1995-09-27 |
发明(设计)人: | J·S·穆尔;K·J·伊尔西辛 | 申请(专利权)人: | 特克特朗尼克公司 |
主分类号: | G09G3/00 | 分类号: | G09G3/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳,王忠忠 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 一种 使用 电离 气体 介质 寻址 结构 脉冲 电路 | ||
1、一种具有多个光图形数据储存元的能寻址的电-光系统,包括:
一个第一个基底支撑在一个主表面上,由此多个非重叠的第一电极,延伸在第一个方向上,
一个第二个基底具有许多非相交的通道,其沿着一个主表面由此延伸在第二个方向上,每一条通道包含一种能电离的气体介质并具有多个第二电极之一和多个参考电极之一,而参考电极沿着通道长度的基本部分延伸,
第一个和第二个基底是面对面地布置并且用第一个方向横列到第二个方向上把其隔开以限定第一电极和通道的重叠区,
一层有电-光性质的材料,位于第一和第二基底之间,该层电-光材料和重叠区限定多个光图形数据储存元,其有选择地储存在一个图象场,典型地表示第一电极所携带的非均匀的光图象信息,
第一装置用于将第一电信号提供给第一电极,和第二装置用于将第二电信号提供给第二电极,第一和第二装置在每一个接着的图象场中,分别把第一和第二电信号符合地加到每一个储存元,只有一次,以使伴随着储存元的主体产生电离,并改变储存元所伴随层的区域,响应第一电光信号的电-光性质,以及
第三装置用于对位于选择的一个通道中的,一个选择的第二和参考电极,提供一个第三电信号,在时间上符合于将第二电信号加到选定的第二电极上,第三电信号与第二电信号共同工作,以使在预定的放电触发延迟时间容限内,在选定的道中产生气体介质的电离。
2、按照权利要求1所述的一种能寻址的电-光系统,其中第三电信号增加在选定的第二和参考电极之间的电位差。
3、按照权利要求1所述的一种能寻址的电-光系统,其中第三电信号在预定的数据获取时间中,基本上不改变电-光材料对第一和第二信号的响应。
4、按照权利要求1所述的一种能寻址的电-光系统,其中第三装置将第三电信号加到选定的参考电极上。
5、按照权利要求1所述的一种能寻址的电-光系统,其中第三装置将第三电信号加到选定的第二电极。
6、按照权利要求1所述的一种能寻址的电-光系统,其中第三装置将多个第三电信号加到选定的参考和第二电极上。
7、按照权利要求1所述的一种能寻址的电-光系统,其中电-光材料是均方根相应型式,并且第三电信号、在接着的图象场期间基本上不足以产生、加到电-光材料上的均方根场。
8、按照权利要求1所述的一种能寻址的电-光系统,其中电-光材料包括一种向列的液晶材料。
9、按照权利要求8所述的一种能寻址的电-光系统,其中第二基底包括多个支撑结构限定的通道、并且更包括布置在第一和第二基底间的一层压电材料,将液晶材料与能电离的气体介质分离,并且与支撑结构共同分离在相邻通道中的能电离的气体介质。
10、按照权利要求1所述一种能寻址的电-光系统,其中:
选择的参考电极具有标称电位,
第一电信号提供一个“关”储存元态和一个预定“开”储存元态之一,第一电信号包括一个“关”信号,一个高电位“开”信号,和一个低电位“开”信号,“关”信号提供储存元在“关”储存元态中,高电位和低电位的“开”信号提供储存元在预定“开”储存元态中,高电位“开”信号置于第一电极上,其电位比标称电位高,低电位“开”信号置于第一电极上,其电位比标称电位低,第二电信号置于选定的第二电极上,其电位比标称电位低,以便在通道中产生电离,和
在一个图象场中,第一电极不接受一个高位“开”信号,在紧接一个图象场中,第一电极接受高位“开”信号,并且第一电极在一个图象场中,不接受一个低位“开”信号,在紧接着一个图象场中第一电极接受低位“开”信号。
11、按照权利要求10所述一种能寻址的电-光系统,其中将第三电信号加到在一个图象场中的任何特定通道上,通过该特定通道部分限定至少一个数据储存元,第一电信号是一个低位“开”信号并且在紧接着图象场中是高电位“开”信号。
12、按照权利要求10所述一种能寻址的电-光系统,其中将第三电信号加到一个图象场中的任何特定通道上,通过该特定通道部分限定至少一个数据储存元,第一电信号是一个低电位“开”信号。
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