[发明专利]难熔金属覆盖的低阻金属导体线与通路无效
| 申请号： | 94115341.X | 申请日： | 1993-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1081390C | 公开（公告）日： | 2002-03-20 |
| 发明（设计）人： | 雷吉夫·Ｖ·乔西;杰罗姆·Ｊ·库欧莫;霍玛兹雅·Ｍ·达拉尔;路易斯·Ｌ·苏 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/283 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 覆盖 导体 通路 | ||
1.一种器件，包括：
衬底；
位于所述衬底上的介质层；以及
位于所述介质层中的一个开口中的金属化部分，所述金属化部分从与所述介质层的一个表面相齐平的表面延伸到衬底，其特征在于：
所述金属化部分包括基本由至少一种难熔金属或合金密封起来的一低阻金属或合金；
所述低阻金属或合金填充所述开口的底部，并沿所述开口的相对侧面向上朝着与所述介质层的表面相齐平的表面延伸，从而限定出一个盖区域；
所述至少一种难熔金属或合金的至少一部分位于所述在所述底部之上和所述低阻金属或合金向上延伸的侧部之间的盖区域之中，以及
所述至少一种难熔金属或合金的所述至少一部分具有与所述介质层齐平的一个表面。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于：所述难熔金属或合金包括一种铝或铜的二元或三元合金。
3.如权利要求2所述的器件，其特征在于：所述低阻金属或合金是一种通式为AlxCuy的铝与铜的合金，其中x与y之和等于1，且x与y两者都大于或等于0。
4.如权利要求1所述的器件，其特征在于：所述至少一种难熔金属或合金中作为不同的或分段的组分表现的掺硅量在所述金属化部分表面的部位比紧靠衬底部位的高。
5.如权利要求1所述的器件，其特征在于：
所述盖区域中的至少一种难熔金属或合金的至少一部分基本上覆盖住所述低阻金属；
所述至少一种难熔金属或合金包括金属和非金属组分的导电化合物；
所述盖区域包括一难熔金属，以及
所述低阻金属或合金包括铝、铜或它们的合金中选出的一种金属。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/94115341.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
