[发明专利]高压MOS控制功率半导体器件无效
| 申请号： | 95115075.8 | 申请日： | 1995-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN1128903A | 公开（公告）日： | 1996-08-14 |
| 发明（设计）人： | F·鲍尔 | 申请（专利权）人： | ABB管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 董巍,蔡掬昌 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 mos 控制 功率 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.高压MOS控制的功率半导体器件(1)包括在半导体衬底(2)内介于一个阴极(3)和一个阳极(4)之间几个不同的掺杂层(7)和许多个进入阴极一侧借助MOS控制极(5)控制的阴极单元(6)，其特征在于，阴极单元(6)在圆形单元时占据总器件面积的比例介于0.1％到10％之间，在条形单元时介于0.4％到40％之间。
2.根据权利要求1所述功率半导体器件，其特征在于，两个相邻单元之间的横向距离d介于25μm和250μm之间。
3.根据权利要求2所述功率半导体器件，其特征在于，横向距离d介于70μm和150μm之间。
4.根据权利要求1-3之一所述功率半导体器件，其特征在于，阴极单元(6)具有MOS控制的晶闸管(MCT)的单胞结构。
5.根据权利要求1-3之一所述功率半导体器件，其特征在于，阴极单元(6)具有绝缘控制极的双极性晶体管(IGBT)单胞结构。
6.根据权利要求1-3之一所述功率半导体器件，其特征在于，半导体衬底(2)阳极一侧含有一个P型重掺杂层和一个n型轻掺杂层以及两类单胞，这些单胞由一个进入n型轻掺杂层内的P型重掺杂的槽组成，其中一类单胞含有附加的n型重掺杂槽，此槽在P槽内。
7.根据权利要求1-3之一所述功率半导体器件，其特征在于，半导体衬底含有一个五层结构和由P型重掺杂槽组成的单胞，在单胞内有n型重掺杂的源极区。
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