[发明专利]电子发射器件、电子源及使用这种器件的图像形成装置及其制造方法无效
申请号: | 95115321.8 | 申请日: | 1995-08-02 |
公开(公告)号: | CN1122951A | 公开(公告)日: | 1996-05-22 |
发明(设计)人: | 岩崎达哉;山野边正人;塚本健夫;山本敬介;浜元康弘 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12;H01J29/46 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 发射 器件 使用 这种 图像 形成 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种电子发射器件包括设在电极之间的一个具有电子发射区的导电膜,其特征是上述导电膜具有上述电子发射区内形成的一个膜,该膜主要由一种熔点高于上述导电膜材料的材料制成。
2.按照权利要求1的电子发射器件,其特征是主要由较高熔点的材料制成的上述膜被形成在上述导电膜的高电位一侧。
3.按照权利要求2的电子发射器件,其特征是,主要由较高熔点的材料制成的上述膜还被形成在上述导电膜的低电位一侧。
4.按照权利要求1的电子发射器件,其特征是具有较高熔点的上述材料是一种金属或金属氧化物。
5.按照权利要求1的电子发射器件,其特征是上述具有较高熔点的材料是由属于Group IVa,Va,VIa,VIIa及VIIIa的元素组中选出的一种元素构成的金属,或是这种金属的氧化物。
6.按照权利要求1的电子发射器件,其特征是,上述具有较高熔点的材料是由选自Mo,Hf,W和Ni的一种元素构成的金属,或是上述金属的氧化物。
7.按照权利要求1的电子发射器件,其特征是主要由较高熔点的材料制成的上述膜是由平均粒度不小于30nm的细微粒构成的。
8.按照权利要求1的电子发射器件,其特征是上述电子发射区是设在上述导电膜中的一个缝隙。
9.一种电子发射器件包括设在电极之间的具有电子发射区的导电膜,其特征是上述导电膜具有一个在上述电子发射区内形成的膜,制成该膜的主要材料比上述导电膜的材料具有一个较高的温度,上述材料在该温度点上产生1.3×10-3Pa的蒸气压。
10.按照权利要求9的电子发射器件,其特征是主要由较高熔点的材料制成的上述膜被形成在上述导电膜的高电位侧。
11.按照权利要求10的电子发射器件,其特征是主要由较高熔点的材料制成的上述膜还被形成在上述导电膜的低电位侧。
12.按照权利要求9的电子发射器件,其特征是上述较高熔点的材料是一种金属或是金属氧化物。
13.按照权利要求9的电子发射器件,其特征是上述较高熔点的材料是由属于Group IVa,Va,VIa,VIIa和VIIIa的元素组中选出的一种元素构成的金属,或是这种金属的氧化物。
14.按照权利要求9的电子发射器件,其特征是上述较高熔点的材料是由选自Mo,Hf,W和Ni的一种元素构成的金属,或是该金属的氧化物。
15.按照权利要求9的电子发射器件,其特征是主要由较高熔点的材料制成的上述膜是由一种平均粒度不小于30nm的细微粒构成的。
16.按照权利要求9的电子发射器件其特征是上述电子发射区是设在上述导电膜中的一个逢隙。
17.按照权利要求1至16中任意一项的电子发射器件,其特征是上述电子发射器件是一种面传导式电子发射器件。
18.一种电子源包括布置在基板上的许多电子发射器件,其特征是,上述电子发射器件是权利要求1至16中任意一项所述的一种电子发射器件。
19.按照权利要求18的电子源,其特征是,上述电子发射器件都是面传导式电子发射器件。
20.按照权利要求18的电子源,其特征是,布置有许多个器件行,一个器件行包括许多相互电连接的电子发射器件。
21.按照权利要求8的电子源,其特征是上述许多电子发射器件按矩阵结线方式相互电连接。
22.一种图象形成装置包括一个由布置在基板上的许多电子发射器件构成的电子源,以及一个图象形成元件,其特征是,上述电子源是权利要求18所述的电子源。
23.按照权利要求22的图象形成装置,其特征是上述电子发射器件都是面传导电子发射器件。
24.按照权利要求22的图象形成装置,其特征是上述电子源是这样一种电子源,其中布置有许多器件行,一个器件行包括许多相互电连接的电子发射器件。
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