[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：配置成矩阵状的多个存储单元；与上述存储单元的栅极连接的多条字线；与上述存储单元的漏极连接的多条位线；向上述字线供给电压的装置；具有在进行读出动作时使上述多个存储单元中要进行读出的一定存储单元在内部进行读出的装置的位线选择装置；检测由上述位线选择装置选择的指定的位线上的电位并读出上述多个存储单元中进行读出的存储单元中流过的电流的读出放大器；其特征在于：将上述读出放大器的输出作为输入的输出电路；具有与芯片固有的内部地址对应的非易失性电路特性或配线并在工作电源供给状态下输出有效地址数据的有效地址数据确定部；将该有效地址数据与上述内部地址进行比较并当是有效地址区域时生成决定是否向外部输出自己的单元数据的信号的有效数据区域检测电路；当上述内部地址是伪数据区域时发生伪数据的伪数据发生电路；和切换上述伪数据及上述单元数据的输出选择电路。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：上述有效数据检测电路利用电路的配线构成。

3.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于：上述伪数据是输入上述内部地址的逻辑电路的输出。

4.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于：上述伪数据输出利用振荡器使任意的节点发生振荡，利用数据输出时钟将该输出锁存。

5.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于：上述伪数据输出是输入上述内部地址和随机ROM数据的逻辑电路的输出。

6.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于：在形成上述存储单元的半导体基板上形成随机ROM数据区域，上述伪数据输出提供读出该随机ROM数据而形成。

7.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于：上述伪数据使用随机数据发生电路的输出。

8.半导体存储装置的制造方法，其特征在于：在权利要求1～7中任一权利要求中所述的半导体存储装置中，在形成上述存储单元的半导体基板的MOS晶体管内形成上述有效地址数据，在和形成上述单元数据的沟道离子注入的同一工序中进行对该MOS晶体管的沟道离子注入。