[发明专利]表面装式半导体装置，半导体装配部件以及它们的制造方法

权利要求书

1.一种表面装式半导体装置，其特征在于，在用焊接等进行装配外部引线等的装配表面上形成金属碳酸盐膜而构成。

2.如权利要求1中所述的表面装式半导体装置，其特征在于，在上述装配表面上先形成金属镀层，再在上述金属镀层上形成金属碳酸盐膜而构成。

3.一种半导体装配部件，其特征在于，在引线框架，TAB带、电路基板等等的半导体装配部件中，在用焊接或热压焊等装配半导体芯片的电极或外部引线等的装配表面上形成金属碳酸盐膜而构成。

4.如权利要求3中所述的半导体装配部件，其特征在于，先在装配表面上形成金属镀层，再在上述金属镀层上形成金属碳酸盐膜而构成。

5.一种表面装式半导体装置或半导体装配部件的制造方法，其特征在于，具备有：准备具有装配表面的表面装式半导体装置或半导体装配部件的工序和，使上述装配表面与含碳溶液接触，在上述装配表面上形成金属碳酸盐膜的工序。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，上述溶液含有氯、氟、氨、硝酸离子、界面活性剂等等有活性作用的成分。

7.如权利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，使上述装配表面与上述溶液接触的工序、包括把上述装配表面浸泡于上述溶液中去的工序。

8.一种表面装式半导体装置或半导体装配部件的制造方法，其特征在于，具备有：准备具有装配表面的表面装式半导体装置或半导体装配部件的工序，至少在上述装配表面上形成金属镀层的工序，使上述金属镀层与含碳溶液接触以形成金属碳酸盐膜的工序。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，形成上述金属镀层的工序包括把上述装配表面放入金属镀膜处理槽里去的工序。

10.如权利要求8或9所述的制造方法，其特征在于，形成上述金属碳酸盐的工序包括放入到含有氯、氟、氨、硝酸离子、界面活性剂等等的活性作用的成分的溶液中去的工序。

11.一种表面装式半导体装置，其特征在于，在外部引线等等的装配表面上，先形成含铅的焊料镀层，再在上述焊料镀层上边形成至少含10％的铅化物的氧化物膜而构成。

12.一种半导体装配部件，其特征在于，在引线框架，TAB带、电路基板等的半导体装配部件中，在焊接装配半导体芯片的电极和外部引线的装配表面上，形成含铅的焊料镀层，再在上述焊料镀层的上形成至少含10％的铅氧化物的氧化物膜而构成。

13.一种表面装式半导体装置或半导体装配部件的制造方法，其特征在于，具备：准备具有已形成含铅焊料镀层的装配表面的表面装式半导体装置和半导体装配部件的工序；使上述装配表面与含碳溶液接触，在上述装配面上边形成至少含10％的铅氧化物的氧化物膜的工序。

14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，上述溶液含有氯、氟、氨、硝酸离子、界面活性剂等等的有活性作用的成分。

15.如权利要求13或14所述的制造方法，其特征在于，使上述装配表面与上述溶液接触的工序包含把上述装配表面浸泡于上述溶液中去的工序。