[发明专利]动态随机存取存储器的电容的制造方法无效
| 申请号： | 96108789.7 | 申请日： | 1996-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1050225C | 公开（公告）日： | 2000-03-08 |
| 发明（设计）人： | 陈立哲 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/28;H01L27/108 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 电容 制造 方法 | ||
1、一种动态随机存取存储器的电容的制造方法，包括下列步骤：
a、提供一硅衬底，该硅衬底上已形成有场区氧化层、一第一介电层、一晶体管与一接触窗，其中，该晶体管包括源极/漏极区，且该接触窗形成在该源极/漏极区之一的上方；
b、在该接触窗中与该第一介电层上方形成一第一导电层，与该源极/漏极区之一电耦合连接；
c、在该第一导电层上方形成一崎岖状导电层；
d、利用光掩膜上光刻胶，蚀刻该崎岖状导电层与该第一导电层，形成一栅状导电层，用以作为该电容的储存电极；
e、在该栅状导电层表面形成一第二介电层；以及
f、在该第二介电层表面形成一第二导电层，以构成该电容的单元电极；
其中，步骤d的蚀刻步骤包括主蚀刻步骤与过蚀刻步骤，首先利用主蚀刻步骤来蚀刻该崎岖状导电层与该第一导电层；之后，利用过蚀刻步骤在该崎岖状导电层上形成多个微光刻胶；以所述微光刻胶为掩膜，继续利用过蚀刻步骤蚀刻该崎岖状导电层与该第一导电层，以形成该栅状导电层。
2、如权利要求1所述的制造方法，其中所述介电层为氮化硅层。
3、如权利要求1所述的制造方法，其中所述介电层为二氧化硅层。
4、如权利要求1所述的制造方法，其中步骤b中的该第一导电层以沉积方式形成，并且厚度介于3000-5000之间。
5、如权利要求1所述的制造方法，其中步骤c中的该崎岖状导电层以沉积方式形成，并且沉积的温度介于560～590℃之间，厚度介于500～1000之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
