[发明专利]切克劳斯基法生长硅的温度和时间关系的控制方法无效
| 申请号： | 97119290.1 | 申请日： | 1997-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1178844A | 公开（公告）日： | 1998-04-15 |
| 发明（设计）人： | 哈罗德·W·考伯;萨达西瓦姆·钱德拉斯克哈尔;罗伯特·J·法尔斯特;约瑟夫·C·霍泽尔;金永民;斯蒂芬·L·基贝尔;拉里·E·德拉夫;塞尔德扬·伊里克 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 克劳斯 生长 温度 时间 关系 控制 方法 | ||
1、晶体生长工艺中控制单晶硅锭的温度与时间关系的方法，其中，按切克劳斯基法从内装熔融硅的旋转坩埚中旋转拉出硅锭，硅锭依次为锥体，具有第1半和第2半的主体，有第1半和第2半的尾锥；该方法包括以下步骤：
按速度RB从熔融硅拉出硅锭主体的第2半，其中RB是晶体主体第2半的平均生长速度，它是时间的函数；
按速度RE从熔融硅拉制硅锭的尾锥，其中RE是硅锭尾锥的平均生长速度，它是时间的函数；
其特征是，把RB和RE控制成RE与RB之比在0.50至1.50之间。
2、按权利要求1的方法，其中，RE与RB之比在0.95至1.05之间。
3、按权利要求1的方法，其中，是时间函数的尾锥平均生长速度是0.45mm/分钟至0.55mm/分钟。
4、按权利要求1的方法，其中，尾锥生长中的硅锭和坩埚的平均旋转速度分别低于晶体主体生长中的硅锭和坩埚的平均旋转速度。
5、按权利要求4的方法，其中，尾锥生长过程中的硅锭和坩埚的旋转速度逐渐减小。
6、按权利要求1的方法，其中，硅锭生长中用加热器加热坩埚，尾锥生长中供给加热器的平均功率大于主体第2半生长中供给加热器的平均功率。
7、按权利要求6的方法，其中，尾锥生长中供给加热器的平均功率至少是主体第2半生长中供给加热器的平均功率的130％。
8、按权利要求1的方法，其中，按不大于0.6mm/分钟的速度从熔融硅中控制出硅锭主体，按尾锥第1半长度不大于0.6mm/分钟的速度从熔融硅中拉出硅锭尾锥。
9、晶体生长工艺中控制单晶硅锭的温度与时间关系的方法，其中，用切克劳斯基法从内装熔融硅的旋转坩埚中旋转拉制出硅锭，硅锭依次有锥体，主体和由第1半和第2半组成的尾锥，其特征是：
按不大于0.6mm/分钟的速度从熔融硅中拉制硅锭主体；
在尾锥长度的第1半中，按不大于0.6mm/分钟的速度从熔融硅中拉出硅锭尾锥。
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