[发明专利]光记录媒质

权利要求书

1、一种具有记录层的光记录媒质，当照射来实施信息的记录和擦除时记录层能在非晶相和晶相之间经历相变化，所述媒质至少包括在基底上依次排列的高硬度层、第一绝缘层、记录层、第二绝缘层和反射层，其中高硬度层的硬度大于第一绝缘层并且第二绝缘层的厚度是从3到50nm。

2、根据权利要求1的光记录媒质，其中记录层包括用于记录信息的台面区域和凹槽区域。

3、根据权利要求2的光记录媒质，其中在凹槽和台面之间倾斜部分的斜度是从0.15到1.8。

4、根据权利要求2的光记录媒质，其中台面和凹槽之间倾斜部分的宽度是3-25％的轨迹间距。

5、根据权利要求2的光记录媒质，其中凹槽深度与重放光波长的1/7到1/5的光程长度相对应。

6、根据权利要求2的光记录媒质，其中凹槽和台面是摆动的，并且所述摆动的宽度分别是所述凹槽和所述台面宽度的1到10％。

7、根据权利要求1的光记录媒质，其中以标记长度记录系统记录信息。

8、根据权利要求1的光记录媒质，其中对用于擦除记录的激光波长，至少或者高硬度层的折射率或者第一绝缘层的折射率是大于1.6。

9、根据权利要求1的光记录媒质，其中对用于擦除记录的激光波长，在第二绝缘层的折射率和高硬度层的折射率之间的差值是-0.2到0.2，或者在第二绝缘层的折射率和第一绝缘层的折射率之间的差值是-0.2到0.2。

10、根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层的热导率大于第一绝缘层的热导率。

11、根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层的折射率小于第一绝缘层的折射率。

12、根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层的厚度是10到100nm。

13、根据权利要求12的光记录媒质，其中高硬度层的厚度是25nm或更大。

14、根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层具有450kg/mm²或更大的努普硬度。

15、根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层和第一绝缘层的厚度总和是10到500nm，并且高硬度层的厚度比第一绝缘层厚度薄。

16、根据权利要求15的光记录媒质，其中高硬度层和第一绝缘层的厚度总和是80到200nm。

17、根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层的热膨胀系数低于第一绝缘层的热膨胀系数。

18、根据权利要求1的光记录媒质，其中记录层的厚度是5到40nm。

19、根据权利要求1的光记录媒质，使高硬度层材料和第一绝缘层材料的混合层设在高硬度层和第一绝缘层之间。

20、根据权利要求1的光记录媒质，其中第一绝缘层和第二绝缘层独立地从ZnS和SiO₂的混合膜或ZnS和SiO₂作主要成分的混合膜中选择，并且SiO₂的含量是15到35mol％。

21、根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层是SiO_x(1≤x≤2)膜或SiO_x(1≤x≤2)作主要成分的混合膜。

22、根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层是Si₃N_4-x(0≤x≤2)膜或Si₃N_4-x(0≤x≤2)作主要成分的混合膜。

23、根据权利要求22的光记录媒质，其中高硬度层是Si₃N_4-x(0.5≤x≤1.5)膜或Si₃N_4-x(0.5≤x≤1.5)作主要成分的混合膜。