[发明专利]光记录媒质无效
申请号: | 97129770.3 | 申请日: | 1997-12-16 |
公开(公告)号: | CN1201225A | 公开(公告)日: | 1998-12-09 |
发明(设计)人: | 信正均;薙野邦久;大林元太郎;山铺智也;渡边雄二;新井猛 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 媒质 | ||
本发明涉及一种光记录媒质,通过光照射能记录、擦除和重放信息。
本发明尤其涉及一种象光盘、光卡、光带等这样的可重写相变化式光记录媒质,从该媒质能擦除和重写信息。这种记录媒质也可以高速度和高密度记录信息信号。
现有可重写相变化式光记录媒质技术说明如下。
这些光记录媒质具有记录层,记录层包括作为主要成分的碲等。为记录信息,在晶态记录层上聚焦的激光脉冲短时间照射,部分熔化记录层。已熔化部分由热扩散淬冷并固化,形成非晶态记录标记。这种记录标记的光反射率低于晶态,因此可作为记录信号被光重放。
为擦除信息,用激光束照射记录标记部分并使之加热到低于记录层熔点且高于晶化温度的温度。结果使非晶态记录标记晶化回到原来的未记录状态。
作为这些可重写相变化式光记录媒质的材料,已知例如Ge2Sb2Te5的合金或类似物(N.Yamada et al.,Proc.Int.Symp.on OpticalMemory 1987 P61-66)。
在具有Te合金作为记录层的这些光记录媒质中,晶化速度快并且由圆的一束光高速重写仅通过调整照射功率就可能。在使用这些记录层的光记录媒质中,通常在记录层的每面上设有具有耐热性和光穿透性的绝缘层,以便防止产生变形和在记录时在记录层内开孔。而且,已知通过在与光束入射方向相反的绝缘层上层叠来提供例如光反射Al这样的金属反射层。这就通过光干涉效应提高重放中的信号对比度。
上述现有可重写相变化式光记录媒质引起的困难如下:现有盘存在问题有如,在记录区域(此后称作扇区)在记录的写开始部分和写结束部分中记录波形退化或者由于重复的记录重写抖动特性恶化(关于这点,本领域是公知的,抖动特性指重放信号和记录的原始信号之间的偏离)。特别是,当采用以高密度形成的标记长度记录代替现有的坑位置记录时前述问题变得更为重要。此问题原因之一可能是由于重复的重写操作记录层向轨迹方向和径向移动。也就是说,原因之一认为是当重复重写操作时,记录膜逐渐移到轨迹的前面和/或后面,并且记录膜聚集在记录的开始端和终止端,或者膜变得更薄。类似地,关于径向,在轨迹宽度方向的中心部分处记录膜能被推开,累积在轨迹的侧壁上,而在轨迹宽度方向的中心部分处记录膜变薄。这还认为是由记录的重复重写引起的跟踪稳定性降低的原因。
而且,已有问题是,在应用台面/凹槽记录情况下(其中更高密度记录是可能的),由于重复重写而引起的台面抖动比凹槽更厉害。
本发明努力提供在扇区的写开始部分和/或写结束部分显示更低退化的可重写相变化式光记录媒质。本发明目的还提供性能好的这种光记录媒质。
本发明涉及光记录媒质,通过把光照射在记录层上能在媒质中记录、擦除和重放信息,并且由非晶相和晶相之间的相变化来实现信息的记录和擦除,所述记录媒质具有至少高硬度层、第一绝缘层、记录层、第二绝缘层和基底上的反射层,其中高硬度层的硬度大于第一绝缘层的硬度,第二绝缘层的厚度是3至50nm。
在附图中:
图1表示在导引凹槽顶部和导引凹槽底部之间的倾斜部分的斜度,y/x表示距凹槽底部10%的位置和距凹槽顶部10%的位置之间的斜度。
图2是记录区域的放大平面图并表示摆动宽度和台面之间以及凹槽宽度和台面之间的关系,记录标记记录在凹槽上,其中
在记录层内凹槽的宽度:Wag
在记录层内台面的宽度:Wal
台面和凹槽的摆动宽度:Ww
记录在凹槽中的记录标记宽度:Wmg
记录在台面中的记录标记宽度:Wml
通过例子下面更详细地讨论本发明的实施例。
本发明光记录媒质的构成件的代表层结构包括例如可穿透基底/高硬度层/第一绝缘层/记录层/第二绝缘层/反射层的层叠。然而,结构不局限于此。
在本发明光记录媒质中,重要的是高硬度层的硬度大于第一绝缘层。也就是说,通过把硬度大于第一绝缘层的材料用作高硬度层的材料,就能抑制由于记录的重复重写产生的扩张和收缩而引起的记录膜移动。也可能改善扇区的写开始部分和写结束部分的退化以及在记录的重复重写中抖动特性的恶化。这样,可按照努普硬度来限定光记录媒质中层的硬度。努普硬度在JIS(日本工业标准)Z2251中定义。
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