[发明专利]介质谐振器、介质滤波器、介质双工器以及振荡器无效

专利信息
申请号: 97180610.1 申请日: 1997-12-05
公开(公告)号: CN1240538A 公开(公告)日: 2000-01-05
发明(设计)人: 梶川武久;坂本孝一;山下贞夫 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01P7/10 分类号: H01P7/10;H01P1/20;H01P1/213;H03B5/18
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 陈亮
地址: 日本京都*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 介质 谐振器 滤波器 双工器 以及 振荡器
【权利要求书】:

1.一种介质谐振器,其特征在于包含:

介质基片,

形成在所述介质基片的一个主表面上的第一导电体,

形成在所述介质基片的另一个主表面上的第二导电体,

形成在所述第一导电体上的第一开口,从而所述介质基片暴露于所述第一导电体,

形成在第二导电体上的第二开口,从而介质基片暴露于第二导电体,

第一导电板,所述第一导电板和所述第一导电体分开,以便覆盖至少所述第一开口,

第二导电板,所述第二导电板和所述第二导电体分开,以便覆盖至少所述第二开口,

由所述第一开口和所述第二开口定义的谐振部分,

支持部件,所述支持部件沿所述介质基片的厚度方向和介质基片分开,及

形成在支持部件上的电极。

2.如权利要求1所述的介质谐振器,其特征在于为介质基片沿其厚度方向安排多个支持部件。

3.如权利要求1或2所述的介质谐振器,其特征在于通过电极安排引线。

4.如权利要求1或2所述的介质谐振器,其特征在于电极是调频电极。

5.一种介质滤波器,其特征在于包含:

介质基片,

形成在所述介质基片的一个主表面上的第一导电体,

形成在所述介质基片另一个主表面上的第二导电体,

形成在所述第一导电体上的第一开口,从而介质基片暴露于第一导电体,

形成在所述第二导电体上的第二开口,从而介质基片暴露于第二导电体,

第一导电板,所述第一导电板和所述第一导电体分开,以便覆盖第一开口,

第二导电板,所述第二导电板和所述第二导电体分开,以便覆盖第二开口,

由所述第一开口和所述第二开口定义的谐振部分,

支持部件,所述支持部件沿介质基片的厚度方向与所述介质基片分开,及

形成在支持部件上的电极。

6.如权利要求5所述的介质滤波器,其特征在于用于进行电磁场耦合的输入/输出终端电极通过谐振部分处的电极安排。

7.如权利要求5所述的介质滤波器,其特征在于电极是调频电极。

8.如权利要求5所述的介质滤波器,其特征在于支持部件是介质基片,电极形成在支持部件的两个主表面上,开口形成在隔离主表面上的电极上,谐振部分由开口形成。

9.如权利要求5、6、7或8中的任一条所述的介质滤波器,其特征在于存在多个第一开口和多个第二开口,从而存在由所述第一开口和第二谐振部分定义的多个谐振部分。

10.如权利要求9所述的介质滤波器,其特征在于用于通过电磁场耦合多个谐振部分的耦合电极形成在支持部件上。

11.如权利要求5、6、7、8或9任一条所述的介质滤波器,其特征在于沿相对于介质基片的方向安排多个支持部件。

12.一种介质双工器,其特征在于包含:

介质基片,

形成在所述介质基片的一个主表面上的第一导电体,

形成在所述介质基片的另一个主表面上的第二导电体,

形成在所述第一导电体上的多个第一开口,

形成在所述第二导电体上的多个第二开口,

第一导电板,所述第一导电板和所述第一导电体分开,以便覆盖至少所述多个第一开口,

第二导电板,所述第二导电板和所述第二导电体分开,以便覆盖至少所述多个第二开口,

由所述多个第一开口和所述多个第二开口定义的多个谐振部分,

由多个谐振部分组成的第一组谐振部分构成的第一滤波器,

由不同于第一组谐振部分的多个谐振部分组成的第二组谐振部分构成的第二滤波器,

沿介质基片的厚度方向和介质基片分开的支持部件,及

形成在支持部件上的电极。

13.如权利要求12所述的介质双工器,其特征在于包含:

由电极构成的第一输入/输出终端电极,它通过电磁场耦合到第一组谐振部分中的至少一个,

由电极构成的第二输入/输出终端电极,它通过电磁场耦合到第二组谐振部分中的至少一个,

由电极构成的第三输入/输出终端电极,它通过电磁场耦合到第二组谐振部分中的至少一个。

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