[发明专利]介质谐振器、介质滤波器、介质双工器以及振荡器无效
申请号: | 97180610.1 | 申请日: | 1997-12-05 |
公开(公告)号: | CN1240538A | 公开(公告)日: | 2000-01-05 |
发明(设计)人: | 梶川武久;坂本孝一;山下贞夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01P7/10 | 分类号: | H01P7/10;H01P1/20;H01P1/213;H03B5/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 介质 谐振器 滤波器 双工器 以及 振荡器 | ||
技术领域
本发明涉及一种介质谐振器、介质滤波器、介质双工器和振荡器。
背景技术
近年来,对于移动通信系统的多媒体系统化的快速增加的需求需要大规模和高速通信系统。根据要传送的信息的增加量,所使用的频带从微波带增加到毫米波带。在这种毫米波带中,传统已知的1、、模式介质谐振器(由柱状的介电装置构成)可以按照类似于微波带的方式使用。在这种情况下,由于1、、模式的介质谐振器的频率根据柱状介电装置的外部直径定义,故需要严格的加工正确度。
还有,假设介质滤波器是通过将多个1、、模式介质谐振器相互分开以预定间隔地安排在金属外壳中而配置的。在这种情况下,输入/输出装置(诸如金属线圈和介质谐振器)之间、或介质谐振器和介质谐振器之间的耦合是根据它们之间的距离决定的。由此,安排需要高的位置精度。
在第7-62625号日本未审查专利申请公告中,本发明的申请人研制了一种介质谐振器和介质滤波器,它们允许改进加工精度,这解决了上述的问题。
根据上述专利申请中的介质滤波器示于图12中。图12是根据上述专利申请的介质滤波器的分解透视图。
如图12所示,介质滤波器101由介质基片102和导电板104a和104b构成。
介质基片102有恒定的相对介电常数,其上形成有导电体102a和102b,它们的两个主表面上具有圆形的开口,该两个主表面上的开口相对。
形成输入共面轨迹105a和输出共面轨迹105b,从而邻近介质基片102的一个主表面的五个开口的两端(图12中的上侧)。
固定介质板104a和104b,使它们和介质基片102分开一预定的距离地介质基片102夹在中间。输入共面轨迹104a和输出共面轨迹104b从介质板104a和104b凸出。将断流器安排在导电板104a上,从而输入共面轨迹105a和输出共面轨迹105b不连接。介质基片102的导电板104a和导电板102a电气连接,并且介质基片102的导电板104b和102b电气连接。
在上述的配置中,电磁场的能量限制在介质基片102上的由开口夹住的附近,它们对着导电体102a和102b,并且形成五个谐振部分。然后,耦合邻近的谐振部分;由此,构成了具有五级谐振部分的介质滤波器。
如上所述,谐振部分可以根据电极开口的尺寸限定。这使诸如蚀刻之类的处理方式能够用于生产中,并允许生产谐振部分具有精确复制尺寸精度的介质谐振器、介质滤波器等等。
在如上所述的介质滤波器101中,电磁场能量高度限制在谐振部分,所述谐振部分由被相对的导电体102a和102b上的开口夹着的介质基片102形成。因此,当由共面轨迹105a和105b形成输入/输出终端装置时,在谐振部分和输入/输出终端装置之间的耦合是弱的。然后,电极102a和102b的开口与输入共面轨迹104a和104b之间的距离尽可能变短,从而加强谐振部分和输入/输出终端装置之间的耦合。
还有,在上述的介质滤波器中,由于电磁场能量的高度限制在谐振部分高,故邻近的谐振部分之间的耦合弱。因此,开口之间的距离尽可能被缩短,以便加强谐振部分之间的耦合。
另外,传统上,作为使用介质谐振器的设备,已知一种压控振荡器。作为这样的压控振荡器,有一种如图13所示的振荡器。
如图13所示,压控振荡器111使用柱形1、、模式介质谐振器112。
1、、模式介质谐振器112通过支持基部112a安装在布线基片113上。在布线基片113的下表面上,形成接地电极(未示出)。将布线基片113安装在上金属外壳130和下金属外壳131内。
在布线基片113上,形成构成主线的微带线114和构成副线的微带线115,从图13中的1、、模式的介质谐振器112上的点朝下看,它们相互叠盖。
微带线114如此安排,即,其一端通过片形电阻器连接到接地电极117,其另一端连接到场效应晶体管118的栅极。
由构成主线的主线和1、、模式介质谐振器112之间的电磁场耦合形成谐振部分。
微带线115如此安排,即,其一端通过变容二极管119连接到接地电极117,其另一端是开口端。
振荡频率可变电路由构成主线的微带线115和变容二极管119构成。
场效应晶体管118如此安排,即,将其漏极通过微带线121连接到输入终端122,其源极连接到微带线123的一端。
微带线121连接到匹配短棒124和场效应晶体管118的漏极连接的点。
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